ادوات قدرت سیلیکون کارباید ۲۰۰۵
Silicon Carbide Power Devices 2005

دانلود کتاب ادوات قدرت سیلیکون کارباید ۲۰۰۵ (Silicon Carbide Power Devices 2005) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف) و ترجمه فارسی

نویسنده

B. Jayant Baliga

voucher-1

۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید

سال انتشار

2005

زبان

English

تعداد صفحه‌ها

503

نوع فایل

pdf

حجم

24.9 MB

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

🏷️ قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود. قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.

📥 دانلود نسخه‌ی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمه‌ی فارسی با هوش مصنوعی 🔗 مشاهده جزئیات

پیش‌خرید با تحویل فوری(⚡️) | فایل کتاب حداکثر تا ۳۰ دقیقه(🕒) پس از ثبت سفارش آماده دانلود خواهد بود.

دانلود مستقیم PDF

ارسال فایل به ایمیل

پشتیبانی ۲۴ ساعته

توضیحات

معرفی کتاب ادوات قدرت سیلیکون کارباید ۲۰۰۵

دستگاه‌های نیمه‌رسانای قدرت به‌طور گسترده برای کنترل و مدیریت انرژی الکتریکی مورد استفاده قرار می‌گیرند. بهبود عملکرد این دستگاه‌ها منجر به کاهش هزینه‌ها و افزایش کارایی شده و در نتیجه، مصرف سوخت‌های فسیلی و آلودگی زیست‌محیطی کاهش یافته است.

این کتاب اولین اثر منسجم در زمینه فیزیک و طراحی دستگاه‌های قدرت مبتنی بر کاربید سیلیکون است که بر ساختارهای تک‌قطبی تمرکز دارد. در این کتاب، از نتایج شبیه‌سازی‌های عددی گسترده برای روشن‌سازی اصول عملکرد این دستگاه‌های مهم استفاده شده است.

فهرست مطالب: خواص مواد و فناوری؛ ولتاژ شکست؛ یکسوسازهای PiN؛ یکسوسازهای شاتکی؛ یکسوسازهای شاتکی محافظت‌شده؛ ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-نیمه‌رسانا؛ پیکربندی زوج بالیگا؛ ماسفت‌های قدرت صفحه‌ای؛ ماسفت‌های صفحه‌ای محافظت‌شده؛ ماسفت‌های قدرت ترانشه‌ای؛ ماسفت‌های ترانشه‌ای محافظت‌شده؛ ساختارهای جفت‌شده با بار؛ دیودهای یکپارچه؛ FETهای ولتاژ بالای جانبی؛ خلاصه.

مخاطبان: این کتاب برای مهندسین شاغل در زمینه دستگاه‌های قدرت و همچنین به عنوان یک کتاب درسی تکمیلی برای دوره‌های تحصیلات تکمیلی در زمینه دستگاه‌های قدرت مناسب است.


فهرست کتاب:

۱. فهرست مندرجات

۲. پیشگفتار

۳. فصل ۱ مقدمه

۴. فصل ۲ خواص مواد و فناوری

۵. فصل ۳ ولتاژ شکست

۶. فصل ۴ یکسوسازهای PiN

۷. فصل ۵ یکسوسازهای شاتکی

۸. فصل ۶ یکسوسازهای شاتکی محافظت‌شده

۹. فصل ۷ ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-نیمه‌رسانا

۱۰. فصل ۸ پیکربندی زوج-بالیگا

۱۱. فصل ۹ ماسفت‌های قدرت مسطح

۱۲. فصل ۱۰ ماسفت‌های مسطح محافظت‌شده

۱۳. فصل ۱۱ ماسفت‌های قدرت ترانشه‌ای (شیاری)

۱۴. فصل ۱۲ ماسفت‌های قدرت ترانشه‌ای (شیاری) محافظت‌شده

۱۵. فصل ۱۳ ساختارهای تزویج بار

۱۶. فصل ۱۴ دیودهای یکپارچه

۱۷. فصل ۱۵ FETهای ولتاژ بالای جانبی

۱۸. فصل ۱۶ خلاصه

۱۹. نمایه

 

توضیحات(انگلیسی)

Power semiconductor devices are widely used for the control and management of electrical energy. The improving performance of power devices has enabled cost reductions and efficiency increases resulting in lower fossil fuel usage and less environmental pollution. This book provides the first cohesive treatment of the physics and design of silicon carbide power devices with an emphasis on unipolar structures. It uses the results of extensive numerical simulations to elucidate the operating principles of these important devices. Sample Chapter(s). Chapter 1: Introduction (72 KB). Contents: Material Properties and Technology; Breakdown Voltage; PiN Rectifiers; Schottky Rectifiers; Shielded Schottky Rectifiers; Metal-Semiconductor Field Effect Transistors; The Baliga-Pair Configuration; Planar Power MOSFETs; Shielded Planar MOSFETs; Trench-Gate Power MOSFETs; Shielded Trendch-Gate MOSFETs; Charge Coupled Structures; Integral Diodes; Lateral High Voltage FETs; Synopsis. Readership: For practising engineers working on power devices, and as a supplementary textbook for a graduate level course on power devices.


Table of Contents

1. Contents

2. Preface

3. Chapter 1 Introduction

4. Chapter 2 Material Properties and Technology

5. Chapter 3 Breakdown Voltage

6. Chapter 4 PiN Rectifiers

7. Chapter 5 Schottky Rectifiers

8. Chapter 6 Shielded Schottky Rectifiers

9. Chapter 7 Metal-Semiconductor Field Effect Transistors

10. Chapter 8 The Baliga-Pair Configuration

11. Chapter 9 Planar Power MOSFETs

12. Chapter 10 Shielded Planar MOSFETs

13. Chapter 11 Trench-Gate Power MOSFETs

14. Chapter 12 Shielded Trench-Gate Power MOSFETs

15. Chapter 13 Charge Coupled Structures

16. Chapter 14 Integral Diodes

17. Chapter 15 Lateral High Voltage FETs

18. Chapter 16 Synopsis

19. Index

دیگران دریافت کرده‌اند

کاربید سیلیسیم، جلد دوم ۲۰۱۱
Silicon Carbide, Volume 2 2011

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

کاربید سیلیسیم ۲۰۱۱
Silicon Carbide 2011

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

سایر کتاب‌های ناشر

✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه

بازگشت کامل وجه

در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.

دانلود پرسرعت

دانلود فایل کتاب با سرعت بالا

ارسال فایل به ایمیل

دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.

پشتیبانی ۲۴ ساعته

با چت آنلاین و پیام‌رسان ها پاسخگو هستیم.

ضمانت کیفیت کتاب

کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.