کاربید سیلیسیم ۲۰۱۱
Silicon Carbide 2011

این کتاب با رویکردی معتبر، به بررسی دانش کنونی ما از SiC (سیلیکون کاربید) به عنوان یک ماده نیمه‌رسانا در الکترونیک می‌پردازد. خواص فیزیکی این ماده، آن را برای ساخت دستگاه‌های توان بالا، نویدبخش‌تر از سیلیکون می‌سازد. این مجلد به خود ماده اختصاص یافته و روش‌های رشد لایه‌نشانی و حجمی آن را پوشش می‌دهد. شناسایی و تعیین ویژگی‌های نقص‌ها به تفصیل مورد بحث قرار می‌گیرد. مقالات ارائه شده به خواننده کمک می‌کنند تا با ترکیب رویکردهای نظری و تجربی، درک عمیق‌تری از نقص‌ها به دست آورد. علاوه بر کاربردها در الکترونیک قدرت، حسگرها و NEMS، SiC اخیراً به عنوان یک ماده زیرلایه برای تولید گرافن کنترل‌شده، مورد توجه جدیدی قرار گرفته است. تحقیقات SiC و گرافن، بازار نهایی را هدف قرار داده و تاثیر بسزایی بر حوزه‌هایی با رشد سریع مانند وسایل نقلیه الکتریکی دارد. فهرست نویسندگان این اثر، مجموعه‌ای از نام‌آورترین چهره‌های جامعه SiC را شامل می‌شود که از همکاری‌های بین موسسات تحقیقاتی و شرکت‌های فعال در رشد بلور SiC و توسعه دستگاه‌ها، بهره‌مند شده است.

This book prestigiously covers our current understanding of SiC as a semiconductor material in electronics. Its physical properties make it more promising for high-powered devices than silicon. The volume is devoted to the material and covers methods of epitaxial and bulk growth. Identification and characterization of defects is discussed in detail. The contributions help the reader to develop a deeper understanding of defects by combining theoretical and experimental approaches. Apart from applications in power electronics, sensors, and NEMS, SiC has recently gained new interest as a substrate material for the manufacture of controlled graphene. SiC and graphene research is oriented towards end markets and has high impact on areas of rapidly growing interest like electric vehicles. The list of contributors reads like a “Who’s Who” of the SiC community, strongly benefiting from collaborations between research institutions and enterprises active in SiC crystal growth and device development.