فیزیک و مدل‌سازی ماسفت‌ها ۲۰۰۸
The Physics and Modeling of Mosfets 2008

این مجلد، شرحی به‌روز از جدیدترین مدل‌های ترانزیستور MOS فشرده برای شبیه‌سازی مدار ارائه می‌دهد. مدل‌های نسل اول BSIM3 و BSIM4 که در دهه گذشته بر شبیه‌سازی مدار تسلط داشته‌اند، دیگر قادر به توصیف تمام ویژگی‌های مهم ترانزیستورهای MOS مدرن زیر 100 نانومتر نیستند. این کتاب به بررسی مدل‌های نسل دوم ترانزیستور MOS می‌پردازد که در حال حاضر تقاضای فوری برای آن‌ها وجود دارد و در حال ورود به فاز اولیه کاربردهای تولیدی هستند. در این کتاب بررسی می‌شود که چگونه مدل‌ها باید شامل تئوری کامل رانش-نفوذ با استفاده از متغیر پتانسیل سطح در کانال ترانزیستور MOS باشند تا یک معادله مشخصه‌سازی واحد ارائه دهند.

This volume provides a timely description of the latest compact MOS transistor models for circuit simulation. The first generation BSIM3 and BSIM4 models that have dominated circuit simulation in the last decade are no longer capable of characterizing all the important features of modern sub-100nm MOS transistors. This book discusses the second generation MOS transistor models that are now in urgent demand and being brought into the initial phase of manufacturing applications. It considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.