راهنمای ساختارهای ناهمگون سیلیکونی: مواد، ساخت، قطعات، مدارها و کاربردهای SiGe و لایه‌نشانی لایه‌های کرنش‌دار Si ۲۰۱۸
Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy 2018

دانلود کتاب راهنمای ساختارهای ناهمگون سیلیکونی: مواد، ساخت، قطعات، مدارها و کاربردهای SiGe و لایه‌نشانی لایه‌های کرنش‌دار Si ۲۰۱۸ (Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy 2018) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف)

نویسنده

John D. Cressler

ناشر: CRC Press
voucher-1

۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید

سال انتشار

2018

زبان

English

تعداد صفحه‌ها

1248

نوع فایل

pdf

حجم

38.6MB

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

🏷️ قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود. قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.

📥 دانلود نسخه‌ی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمه‌ی فارسی با هوش مصنوعی 🔗 مشاهده جزئیات

پیش‌خرید با تحویل فوری(⚡️) | فایل کتاب حداکثر تا ۳۰ دقیقه(🕒) پس از ثبت سفارش آماده دانلود خواهد بود.

دانلود مستقیم PDF

ارسال فایل به ایمیل

پشتیبانی ۲۴ ساعته

توضیحات

معرفی کتاب راهنمای ساختارهای ناهمگون سیلیکونی: مواد، ساخت، قطعات، مدارها و کاربردهای SiGe و لایه‌نشانی لایه‌های کرنش‌دار Si ۲۰۱۸

ترکیبی خارق‌العاده از علم مواد، فرایندهای تولید و تفکر نوآورانه، منجر به توسعه‌ی دستگاه‌های هتروژانکشن SiGe شده است که طیف گسترده‌ای از عملکردها، سطوح بی‌سابقه‌ای از کارایی و هزینه‌های تولید پایین را ارائه می‌دهند. در حالی که کتاب‌های بسیاری در مورد جنبه‌های خاص هتروساختارهای Si وجود دارد، کتاب «راهنمای هتروساختارهای سیلیکونی: مواد، ساخت، دستگاه‌ها، مدارها و کاربردهای SiGe و لایه‌نشانی کششی Si» اولین کتابی است که تمام جنبه‌ها را در یک منبع واحد گرد هم آورده است.

این راهنما با ارائه بحثی گسترده، جامع و عمیق، وضعیت فعلی این حوزه را در زمینه‌هایی از مواد گرفته تا ساخت، دستگاه‌ها، CAD، مدارها و کاربردها، خلاصه می‌کند. ویراستار، “تصاویری فوری” از وضعیت پیشرفته‌ی صنعتی برای دستگاه‌ها و مدارها را نیز در بر می‌گیرد و دیدگاهی بدیع برای مقایسه‌ی وضعیت کنونی با مسیرهای آینده در این حوزه ارائه می‌دهد.

هر فصل از این کتاب توسط نویسندگان متخصص از موسسات صنعتی و تحقیقاتی برجسته در سراسر جهان نوشته شده است و کتاب نه تنها از نظر گستردگی دامنه، بلکه از نظر عمق پوشش، به‌روز بودن نتایج و اعتبار منابع، بی‌نظیر است. همچنین شامل پیشگفتاری از دکتر برنارد اس. میرسون، پیشگام در فناوری SiGe است.

«راهنمای هتروساختارهای سیلیکونی» با داشتن نزدیک به 1000 شکل به همراه پیوست‌های ارزشمند، به‌طور موثق به بررسی مواد، ساخت، فیزیک دستگاه، بهینه‌سازی ترانزیستور، قطعات اپتوالکترونیک، اندازه‌گیری، مدل‌سازی فشرده، طراحی مدار و شبیه‌سازی دستگاه می‌پردازد.


فهرست کتاب:

۱. روی جلد

۲. پیشگفتار

۳. سخن سردبیر

۴. ویراستار

۵. فهرست مطالب

۶. فصل ۱. مقدمه

۷. فصل ۲. لایه نشانی هم‌نهشتی SiGe و Si کرنش‌دار

۸. فصل ۳. ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS

۹. فصل ۴. ترانزیستورهای دوقطبی ناهم‌ساخت SiGe (HBT)

۱۰. فصل ۵. ترانزیستورهای اثر میدانی ناهم‌ساخت (HFET)

۱۱. فصل ۶. دیگر ادوات ناهم‌ساخت

۱۲. فصل ۷. قطعات اپتوالکترونیکی

۱۳. فصل ۸. اندازه‌گیری و مدل‌سازی

۱۴. فصل ۹. مدارها و کاربردها

۱۵. ضمائم

۱۶. الف.۱. خواص سیلیسیم و ژرمانیم

۱۷. الف.۲. روابط تعمیم‌یافته مول-راس

۱۸. الف.۳. روابط کنترل بار انتگرالی

۱۹. الف.۴. نمونه پارامترهای مدل فشرده SiGe HBT

۲۰. نمایه

۲۱. پشت جلد

 

توضیحات(انگلیسی)

An extraordinary combination of material science, manufacturing processes, and innovative thinking spurred the development of SiGe heterojunction devices that offer a wide array of functions, unprecedented levels of performance, and low manufacturing costs. While there are many books on specific aspects of Si heterostructures, the Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits, and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy is the first book to bring all aspects together in a single source. Featuring broad, comprehensive, and in-depth discussion, this handbook distills the current state of the field in areas ranging from materials to fabrication, devices, CAD, circuits, and applications. The editor includes “snapshots” of the industrial state-of-the-art for devices and circuits, presenting a novel perspective for comparing the present status with future directions in the field. With each chapter contributed by expert authors from leading industrial and research institutions worldwide, the book is unequalled not only in breadth of scope, but also in depth of coverage, timeliness of results, and authority of references. It also includes a foreword by Dr. Bernard S. Meyerson, a pioneer in SiGe technology. Containing nearly 1000 figures along with valuable appendices, the Silicon Heterostructure Handbook authoritatively surveys materials, fabrication, device physics, transistor optimization, optoelectronics components, measurement, compact modeling, circuit design, and device simulation.


Table of Contents

1. Front cover

2. Preface

3. Foreword

4. The Editor

5. Table of Contents

6. Chapter 1. Introduction

7. Chapter 2. SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy

8. Chapter 3. Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology

9. Chapter 4. SiGe HBTs

10. Chapter 5. Heterosstructure FETs

11. Chapter 6. Other Heterostructure Devices

12. Chapter 7. Optoelectronic Components

13. Chapter 8. Measurement and Modeling

14. Chapter 9. Circuits and Applications

15. Appendices

16. A.1. Properties of Silicon and Germanium

17. A.2. The Generalized Moll-Ross Relations

18. A.3. Integral Charge-Control Relations

19. A.4. Sample SiGe HBT Compact Model Parameters

20. Index

21. Back cover

دیگران دریافت کرده‌اند

کوپلیمرهای هیبریدی حاوی سیلیکون ۲۰۲۰
Silicon Containing Hybrid Copolymers 2020

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه

بازگشت کامل وجه

در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.

دانلود پرسرعت

دانلود فایل کتاب با سرعت بالا

ارسال فایل به ایمیل

دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.

پشتیبانی ۲۴ ساعته

با چت آنلاین و پیام‌رسان ها پاسخگو هستیم.

ضمانت کیفیت کتاب

کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.