مدل‌سازی ماسفت برای شبیه‌سازی VLSI: تئوری و عمل ۲۰۰۷
Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice 2007

دانلود کتاب مدل‌سازی ماسفت برای شبیه‌سازی VLSI: تئوری و عمل ۲۰۰۷ (Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice 2007) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف) و ترجمه فارسی

نویسنده

Narain Arora

voucher (1)

۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید

سال انتشار

2007

زبان

English

تعداد صفحه‌ها

632

نوع فایل

pdf

حجم

28.2 MB

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

🏷️ قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود. قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.

📥 دانلود نسخه‌ی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمه‌ی فارسی با هوش مصنوعی 🔗 مشاهده جزئیات

پیش‌خرید با تحویل فوری(⚡️) | فایل کتاب حداکثر تا ۳۰ دقیقه(🕒) پس از ثبت سفارش آماده دانلود خواهد بود.

دانلود مستقیم PDF

ارسال فایل به ایمیل

پشتیبانی ۲۴ ساعته

توضیحات

معرفی کتاب مدل‌سازی ماسفت برای شبیه‌سازی VLSI: تئوری و عمل ۲۰۰۷

این کتاب، تجدید چاپ اثری کلاسیک است که بیش از یک دهه پیش، مدل‌سازی فشرده‌ی قطعات الکترونیکی و نیمه‌رساناها را برای کلاس‌های درس دانشگاهی و تحصیلات تکمیلی، و نیز مهندسی تولید، رواج داد. این اثر، اولین کتاب جامع در زمینه‌ی مدل‌سازی فشرده‌ی ترانزیستورهای MOS بود و در میان کتاب‌های مشابه، بیشترین ارجاعات را به خود اختصاص داد و همچنان پرارجاع‌ترین کتاب در این حوزه به شمار می‌رود. پوشش مطالب مبتنی بر فیزیک قطعات است و همچنان با آخرین پیشرفت‌ها در مدل‌سازی ترانزیستورهای MOS مرتبط است. همچنین، این تنها کتابی است که به طور مفصل به نحوه‌ی اندازه‌گیری پارامترهای مدل قطعات مورد نیاز برای شبیه‌سازی مدارهای الکترونیکی می‌پردازد.

این کتاب به مدل‌های ترانزیستور اثر میدانی MOS (MOSFET) می‌پردازد که از نظریه‌ی پایه‌ای نیمه‌رساناها مشتق شده‌اند. مدل‌های مختلفی توسعه داده شده‌اند، از مدل‌های ساده گرفته تا مدل‌های پیچیده‌تر که اثرات فیزیکی جدید مشاهده شده در ترانزیستورهای زیرمیکرونی مورد استفاده در فناوری MOS VLSI امروزی (1993) را در نظر می‌گیرند. فرضیاتی که برای رسیدن به مدل‌ها استفاده شده‌اند، مورد تاکید قرار می‌گیرند تا دقت مدل‌ها در توصیف ویژگی‌های قطعه به وضوح درک شود. با توجه به اهمیت طراحی مدارهای قابل اعتماد، مدل‌های قابلیت اطمینان قطعه نیز پوشش داده شده‌اند. درک این مدل‌ها برای طراحی مدارهای مجتمع MOS پیشرفته ضروری است.


فهرست کتاب:

۱. صفحه روی جلد

۲. صفحه عنوان

۳. صفحه حق تکثیر

۴. تقدیم

۵. پیشگفتار

۶. مقدمه

۷. فهرست

۸. لیست علائم

۹. لیست اختصارات

۱ – مرور کلی

۲ – مروری بر تئوری اساسی نیمه هادی ها و پیوند pn

۳ – ساختار و عملکرد ترانزیستور MOS

۴ – خازن MOS

۵ – ولتاژ آستانه

۶ – مدل DC ماسفت

۷ – مدل دینامیکی

۸ – مدلسازی اثرات حامل‌های داغ

۹ – جمع آوری داده ها و اندازه گیری پارامترهای مدل

۱۰ – استخراج پارامترهای مدل با استفاده از روش بهینه سازی

۱۱ – مدل های دیود و ماسفت SPICE و پارامترهای آنها

۱۲ – مدلسازی آماری و پارامترهای طراحی بدترین حالت

۲۲. پیوست الف. خواص مهم سیلیکون، دی اکسید سیلیکون و نیترید سیلیکون در ۳۰۰ کلوین

۲۳. فهرست موضوعی

۲۴. پشت جلد

توضیحات(انگلیسی)
A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs.


Table of Contents

1. Cover Page

2. Title Page

3. Copyright Page

4. Dedication

5. Forword

6. Preface

7. Contents

8. List of Symbols

9. Acronyms

1 - Overview

2 - Review of Basic Semiconductor and pn Junction Theory

3 - MOS Transistor Structure and Operation

4 - MOS Capacitor

5 - Threshold Voltage

6 - MOSFET DC Model

7 - Dynamic Model

8 - Modeling Hot-Carrier Effects

9 - Data Acquisition and Model Parameter Measurements

10 - Model Parameter Extraction Using Optimization Method

11 - SPICE Diode and MOSFET Models and Their Parameters

12 - Statistical Modeling and Worst-Case Design Parameters

22. Appendix A. Important Properties of Silicon, Silicon Dioxide and Silicon Nitride at 300 - K

23. Subject Index

24. Back Cover

دیگران دریافت کرده‌اند

فورد برونکو: شاسی بلند اصلی ۲۰۲۳
Ford Bronco: The Original SUV 2023

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

سایر کتاب‌های ناشر

✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه

بازگشت کامل وجه

در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.

دانلود پرسرعت

دانلود فایل کتاب با سرعت بالا

ارسال فایل به ایمیل

دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.

پشتیبانی ۲۴ ساعته

با چت آنلاین و پیام‌رسان ها پاسخگو هستیم.

ضمانت کیفیت کتاب

کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.