Sale
نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون ۲۰۱۶
III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics 2016
دانلود کتاب نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون ۲۰۱۶ (III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics 2016) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف)
| نویسنده |
Tingkai Li, Michael Mastro, Armin Dadgar, Tingkai Li, Michael Mastro, Armin Dadgar |
|---|
ناشر:
CRC Press
۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید
| سال انتشار |
2016 |
|---|---|
| زبان |
English |
| تعداد صفحهها |
603 |
| نوع فایل |
epub, pdf |
| حجم |
11 Mb |
🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.129,000 تومانقیمت فعلی: 129,000 تومان.
هوشمصنوعی ترجمه کالیبو
توضیحات
معرفی کتاب نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون ۲۰۱۶
میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون به طور مداوم در معیارهای مختلف عملکرد به هزینه بهبود یافته است. اما پس از دهه ها مقیاس گذاری پردازنده، محدودیت های اساسی و چالش های جدید قابل توجهی پدیدار شده است. ادغام نیمه هادی های مرکب، نامزد اصلی برای حل بسیاری از این مسائل و ادامه پیگیری بی امان برای …
فهرست کتاب:
۱. روی جلد
۲. فهرست مطالب
۳. پیشگفتار
۴. مشارکتکنندگان
۵. بخش اول: مبانی فنی و چالشها
۶. فصل ۱. مبانی و آینده فناوری ادوات نیمهرسانا
۷. فصل ۲. چالش ادغام مواد III-V با میکروالکترونیک Si
۸. فصل ۳. نیتریدهای III-N بر روی زیرلایههای Si
۹. فصل ۴. رویکردهای فناوری نوین
۱۰. فصل ۵. نیتریدهای گروه III-A بر روی Si: تنش و تکامل ریزساختاری
۱۱. فصل ۶. رشد مستقیم ادوات III-V بر روی سیلیکون
۱۲. فصل ۷. ادوات اپتوالکترونیکی یکپارچه شده بر روی Si
۱۳. فصل ۸. قابلیت اطمینان ادوات الکترونیکی III-V
۱۴. فصل ۹. اندازهگیری انحنا، کرنشها و تنشها در محل در مورد خمش ویفرهای بزرگ و سیستمهای چند لایه
۱۵. فصل ۱۰. شناسایی پرتو ایکس نیتریدهای گروه III
۱۶. فصل ۱۱. لومینسانس در GaN
۱۷. فصل ۱۲. ادوات نوری مبتنی بر GaN بر روی سیلیکون
۱۸. فصل ۱۳. مواد و ادوات III-V مرسوم بر روی سیلیکون
۱۹. فصل ۱۴. سلولهای خورشیدی III-V بر روی سیلیکون
۲۰. پشت جلد
توضیحات(انگلیسی)
Silicon-based microelectronics has steadily improved in various performance-to-cost metrics. But after decades of processor scaling, fundamental limitations and considerable new challenges have emerged. The integration of compound semiconductors is the leading candidate to address many of these issues and to continue the relentless pursuit of more
Table of Contents
1. Front cover
2. Contents
3. Preface
4. Contributors
5. Part I. Technical Fundamentals and Challenges
6. Chapter 1. Fundamentals and the Future of Semiconductor Device Technology
7. Chapter 2. Challenge of III–V Materials Integration with Si Microelectronics
8. Chapter 3. III-Nitrides on Si Substrates
9. Chapter 4. New Technology Approaches
10. Chapter 5. Group III-A Nitrides on Si: Stress and Microstructural Evolution
11. Chapter 6. Direct Growth of III–V Devices on Silicon
12. Chapter 7. Optoelectronic Devices Integrated on Si
13. Chapter 8. Reliability of III–V Electronic Devices
14. Chapter 9. In Situ Curvature Measurements, Strains ,and Stresses in the Case of Large Wafer Bending and Multilayer Systems
15. Chapter 10. X-Ray Characterization of Group III-Nitrides
16. Chapter 11. Luminescence in GaN
17. Chapter 12. GaN-Based Optical Devices on Silicon
18. Chapter 13. Conventional III–V Materials and Devices on Silicon
19. Chapter 14. III–V Solar Cells on Silicon
20. Back cover
دیگران دریافت کردهاند
✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه
بازگشت کامل وجه
در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.
دانلود پرسرعت
دانلود فایل کتاب با سرعت بالا
ارسال فایل به ایمیل
دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.
پشتیبانی ۲۴ ساعته
با چت آنلاین و پیامرسان ها پاسخگو هستیم.
ضمانت کیفیت کتاب
کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.
