مبانی فناوری کاربید سیلیکون: رشد، مشخصه‌یابی، ابزارها و کاربردها ۲۰۱۴
Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications 2014

دانلود کتاب مبانی فناوری کاربید سیلیکون: رشد، مشخصه‌یابی، ابزارها و کاربردها ۲۰۱۴ (Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications 2014) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف)

نویسنده

Tsunenobu Kimoto, James A. Cooper

voucher-1

۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید

سال انتشار

2014

زبان

English

تعداد صفحه‌ها

552

نوع فایل

pdf

حجم

9.2MB

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

🏷️ قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود. قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.

📥 دانلود نسخه‌ی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمه‌ی فارسی با هوش مصنوعی 🔗 مشاهده جزئیات

پیش‌خرید با تحویل فوری(⚡️) | فایل کتاب حداکثر تا ۳۰ دقیقه(🕒) پس از ثبت سفارش آماده دانلود خواهد بود.

دانلود مستقیم PDF

ارسال فایل به ایمیل

پشتیبانی ۲۴ ساعته

توضیحات

معرفی کتاب مبانی فناوری کاربید سیلیکون: رشد، مشخصه‌یابی، ابزارها و کاربردها ۲۰۱۴

مقدمه‌ای جامع و مرجعی به‌روز در زمینه‌ی ادوات نیمه‌رسانای قدرت SiC، که موضوعاتی از خواص مواد تا کاربردها را پوشش می‌دهد.

بر اساس پیشرفت‌های چشمگیر در علم مواد SiC و فناوری ساخت در دهه‌های ۱۹۸۰ و ۱۹۹۰، اولین دیودهای سدِ شاتکی SiC (SBD) در سال ۲۰۰۱ به عنوان محصولات تجاری عرضه شدند. بازار SBDهای SiC از آن زمان رشد چشمگیری داشته است و اکنون SBDها در انواع سیستم‌های قدرت، به‌ویژه منابع تغذیه سوئیچینگ و کنترل موتورها، استفاده می‌شوند. ماسفت‌های قدرت SiC در سال ۲۰۱۱ وارد تولید تجاری شدند و سوئیچ‌های مستحکم و با راندمان بالا را برای سیستم‌های قدرت فرکانس بالا فراهم کردند. در این کتاب گسترده، نویسندگان با تکیه بر تجربه‌ی قابل توجه خود، هم مقدمه‌ای بر مواد، ادوات و کاربردهای SiC و هم مرجعی عمیق برای دانشمندان و مهندسان فعال در این زمینه‌ی پرشتاب ارائه می‌دهند. مبانی فناوری کاربید سیلیکون خواص اساسی مواد SiC، فناوری پردازش، تئوری و تحلیل ادوات عملی و مروری بر مهم‌ترین کاربردهای سیستم را پوشش می‌دهد. به طور خاص، موارد زیر در این کتاب گنجانده شده‌اند:

* بحثی کامل در مورد خواص مواد SiC، رشد کریستال حجیم، رشد لایه‌ی نازک، فناوری ساخت ادوات و تکنیک‌های شناسایی.
* فیزیک ادوات و معادلات عملکرد برای دیودهای شاتکی، دیودهای PIN، دیودهای JBS/MPS، JFETها، MOSFETها، BJTها، IGBTها و تریستورها.
* بررسی کاربردهای الکترونیک قدرت، از جمله منابع تغذیه سوئیچینگ، درایوهای موتور، مبدل‌های قدرت برای وسایل نقلیه الکتریکی و مبدل‌ها برای منابع انرژی تجدیدپذیر.
* پوشش کاربردهای ویژه، از جمله ادوات مایکروویو، الکترونیک دمای بالا و حسگرهای مستحکم.
* این متن که به‌طور کامل مصور شده است، توسط متخصصان شناخته‌شده با بیش از ۴۵ سال تجربه‌ی مشترک در تحقیق و توسعه SiC نوشته شده است.

این کتاب برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی و محققان در زمینه‌ی رشد کریستال، علم مواد و فناوری ادوات نیمه‌رسانا در نظر گرفته شده است. این کتاب همچنین برای مهندسان طراحی، مهندسان کاربرد و مدیران محصول در زمینه‌هایی مانند منابع تغذیه، طراحی مبدل و اینورتر، فناوری وسایل نقلیه الکتریکی، الکترونیک دمای بالا، حسگرها و فناوری شبکه‌های هوشمند مفید است.


فهرست کتاب:

۱. روی جلد

۲. صفحه عنوان

۳. حق چاپ

۴. درباره نویسندگان

۵. پیشگفتار

۶. فصل ۱: مقدمه

۷. فصل ۲: خواص فیزیکی کاربید سیلیسیم

۸. فصل ۳: رشد حجمی کاربید سیلیسیم

۹. فصل ۴: رشد لایه نشانی کاربید سیلیسیم

۱۰. فصل ۵: تکنیک‌های شناسایی و عیوب در کاربید سیلیسیم

۱۱. فصل ۶: فرآوری ادوات کاربید سیلیسیم

۱۲. فصل ۷: دیودهای قدرت تک‌قطبی و دوقطبی

۱۳. فصل ۸: ادوات سوئیچینگ قدرت تک‌قطبی

۱۴. فصل ۹: ادوات سوئیچینگ قدرت دوقطبی

۱۵. فصل ۱۰: بهینه‌سازی و مقایسه ادوات قدرت

۱۶. فصل ۱۱: کاربردهای ادوات کاربید سیلیسیم در سیستم‌های قدرت

۱۷. فصل ۱۲: ادوات و کاربردهای تخصصی کاربید سیلیسیم

۱۸. پیوست الف: یونیزاسیون ناقص ناخالصی در ۴H-SiC

۱۹. پیوست ب: خواص توابع هذلولی

۲۰. پیوست ج: خواص فیزیکی مهم پلی‌تیپ‌های متداول SiC

۲۱. نمایه

۲۲. توافق‌نامه مجوز کاربری نهایی

توضیحات(انگلیسی)

A comprehensive introduction and up-to-date reference to SiC power semiconductor devices covering topics from material properties to applications

Based on a number of breakthroughs in SiC material science and fabrication technology in the 1980s and 1990s, the first SiC Schottky barrier diodes (SBDs) were released as commercial products in 2001. The SiC SBD market has grown significantly since that time, and SBDs are now used in a variety of power systems, particularly switch-mode power supplies and motor controls. SiC power MOSFETs entered commercial production in 2011, providing rugged, high-efficiency switches for high-frequency power systems. In this wide-ranging book, the authors draw on their considerable experience to present both an introduction to SiC materials, devices, and applications and an in-depth reference for scientists and engineers working in this fast-moving field. Fundamentals of Silicon Carbide Technology covers basic properties of SiC materials, processing technology, theory and analysis of practical devices, and an overview of the most important systems applications. Specifically included are:

  • A complete discussion of SiC material properties, bulk crystal growth, epitaxial growth, device fabrication technology, and characterization techniques.
  • Device physics and operating equations for Schottky diodes, pin diodes, JBS/MPS diodes, JFETs, MOSFETs, BJTs, IGBTs, and thyristors.
  • A survey of power electronics applications, including switch-mode power supplies, motor drives, power converters for electric vehicles, and converters for renewable energy sources.
  • Coverage of special applications, including microwave devices, high-temperature electronics, and rugged sensors.
  • Fully illustrated throughout, the text is written by recognized experts with over 45 years of combined experience in SiC research and development.

This book is intended for graduate students and researchers in crystal growth, material science, and semiconductor device technology. The book is also useful for design engineers, application engineers, and product managers in areas such as power supplies, converter and inverter design, electric vehicle technology, high-temperature electronics, sensors, and smart grid technology.


Table of Contents

1. Cover

2. Title Page

3. Copyright

4. About the Authors

5. Preface

6. Chapter 1: Introduction

7. Chapter 2: Physical Properties of Silicon Carbide

8. Chapter 3: Bulk Growth of Silicon Carbide

9. Chapter 4: Epitaxial Growth of Silicon Carbide

10. Chapter 5: Characterization Techniques and Defects in Silicon Carbide

11. Chapter 6: Device Processing of Silicon Carbide

12. Chapter 7: Unipolar and Bipolar Power Diodes

13. Chapter 8: Unipolar Power Switching Devices

14. Chapter 9: Bipolar Power Switching Devices

15. Chapter 10: Optimization and Comparison of Power Devices

16. Chapter 11: Applications of Silicon Carbide Devices in Power Systems

17. Chapter 12: Specialized Silicon Carbide Devices and Applications

18. Appendix A: Incomplete Dopant Ionization in 4H-SiC

19. Appendix B: Properties of the Hyperbolic Functions

20. Appendix C: Major Physical Properties of Common SiC Polytypes

21. Index

22. End User License Agreement

دیگران دریافت کرده‌اند

✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه

بازگشت کامل وجه

در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.

دانلود پرسرعت

دانلود فایل کتاب با سرعت بالا

ارسال فایل به ایمیل

دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.

پشتیبانی ۲۴ ساعته

با چت آنلاین و پیام‌رسان ها پاسخگو هستیم.

ضمانت کیفیت کتاب

کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.