نفوذ در جامدات بلوری ۲۰۱۲
Diffusion in Crystalline Solids 2012

نفوذ در جامدات بلوری، به بررسی فعال‌ترین حوزه‌های تحقیقاتی در زمینه نفوذ در جامدات بلوری می‌پردازد. موضوعات مورد بحث شامل اندازه‌گیری ضرایب نفوذ ردیاب در جامدات، نفوذ در سیلیکون و ژرمانیوم، انتقال اتمی در اکسیدهای با ساختار فلوریت، نفوذ ردیاب در آلیاژهای غلیظ، نفوذ در نابجایی‌ها، سازوکارهای نفوذ مرزدانه‌ای در فلزات، و استفاده از روش مونت کارلو برای شبیه‌سازی سینتیک نفوذ است.

این کتاب از هشت فصل تشکیل شده و با مقدمه‌ای بر اندازه‌گیری ضرایب نفوذ با رادیوایزوتوپ‌ها آغاز می‌شود. سه فصل بعدی به بررسی نفوذ در مواد دارای اهمیت فناوری قابل توجهی مانند سیلیکون و ژرمانیوم می‌پردازد. انتقال اتمی در اکسیدهای با ساختار فلوریت توصیف شده و نفوذ در آلیاژهای غلیظ، از جمله ترکیبات بین‌فلزی، مورد تجزیه و تحلیل قرار می‌گیرد. دو فصل بعدی به بررسی نفوذ در امتداد مسیرهای اتصال کوتاه می‌پردازد و بر اثر نفوذ در امتداد نابجایی‌ها بر شکل پروفایل غلظت ردیاب متمرکز می‌شود.

کتاب همچنین به بررسی سازوکارهای نفوذ در مرزدانه‌های فلزات با استناد به کارهای قابل توجهی که بر روی ساختار مرزدانه‌ها انجام شده، می‌پردازد. دو فصل آخر به شبیه‌سازی کامپیوتری، با توجه ویژه به محاسبات ماشینی و روش مونت کارلو اختصاص دارد. کتاب با بررسی فرآیند اساسی مهاجرت اتمی و ارائه برخی از محاسبات پیشرفته برای انرژی‌های نقص و توپولوژی سطح زینی به پایان می‌رسد.

دانشجویان و پژوهشگران علم مواد، این کتاب را بسیار مفید خواهند یافت.

Diffusion in Crystalline Solids addresses some of the most active areas of research on diffusion in crystalline solids. Topics covered include measurement of tracer diffusion coefficients in solids, diffusion in silicon and germanium, atom transport in oxides of the fluorite structure, tracer diffusion in concentrated alloys, diffusion in dislocations, grain boundary diffusion mechanisms in metals, and the use of the Monte Carlo Method to simulate diffusion kinetics. This book is made up of eight chapters and begins with an introduction to the measurement of diffusion coefficients with radioisotopes. The following three chapters consider diffusion in materials of substantial technological importance such as silicon and germanium. Atomic transport in oxides of the fluorite structure is described, and diffusion in concentrated alloys, including intermetallic compounds, is analyzed. The next two chapters delve into diffusion along short-circuiting paths, focusing on the effect of diffusion down dislocations on the form of the tracer concentration profile. The book also discusses the mechanisms of diffusion in grain boundaries in metals by invoking considerable work done on grain-boundary structure. The last two chapters are concerned with computer simulation, paying particular attention to machine calculations and the Monte Carlo method. The book concludes by exploring the fundamental atomic migration process and presenting some state-of-the-art calculations for defect energies and the topology of the saddle surface. Students and researchers of material science will find this book extremely useful.