Sale
شناسایی ویژگی های ساختارهای ناهمگن و نانو ساختارهای نیمه هادی ۲۰۱۱
Characterization of Semiconductor Heterostructures and Nanostructures 2011
دانلود کتاب شناسایی ویژگی های ساختارهای ناهمگن و نانو ساختارهای نیمه هادی ۲۰۱۱ (Characterization of Semiconductor Heterostructures and Nanostructures 2011) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف)
| نویسنده |
Giovanni Agostini,Carlo Lamberti |
|---|
ناشر:
Elsevier Science
۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید
| سال انتشار |
2011 |
|---|---|
| زبان |
English |
| تعداد صفحهها |
496 |
| نوع فایل |
|
| حجم |
9 Mb |
🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.129,000 تومانقیمت فعلی: 129,000 تومان.
هوشمصنوعی ترجمه کالیبو
توضیحات
معرفی کتاب شناسایی ویژگی های ساختارهای ناهمگن و نانو ساختارهای نیمه هادی ۲۰۱۱
در دو دهه گذشته، دستگاه های الکترونیکی و اپتو الکترونیکی با کارایی بالا مبتنی بر هترو ساختارهای نیمه هادی برای دستیابی به عملکردهای سختگیرانه تر و تعریف شده تر مورد نیاز بوده اند که نیازمند کنترل دقیق در سطح اتمی از ترکیب ساختاری رابط های مدفون است. این هدف با بهبود تکنیک های رشد اپی تاکسیال و استفاده موازی از تکنیک های مشخصه سازی بسیار پیچیده و مدل های نظری دقیق مبتنی بر رویکردهای ab initio به دست آمده است. این کتاب به توصیف تکنیک های مشخصه سازی و مدل های نظری مورد نیاز برای درک و پیش بینی خواص ساختاری و الکترونیکی هترو ساختارهای نیمه هادی و نانوساختارها می پردازد.
- مجموعه ای جامع از قدرتمندترین تکنیک های مشخصه سازی برای هترو ساختارهای نیمه هادی و نانوساختارها
- اکثر فصل ها توسط دانشمندانی نوشته شده اند که در رتبه بندی انتشارات در زمینه خاص خود جزو 10 نفر برتر جهان هستند
- هر فصل با مقدمه ای آموزشی در مورد این تکنیک شروع می شود
- بخش دوم هر فصل به انتخابی از مثال های برتر می پردازد که قدرت تکنیک خاص را در تجزیه و تحلیل خواص نیمه هادی ها برجسته می کند
فهرست کتاب:
۱. تصویر جلد
۲. صفحه عنوان
۳. فهرست مطالب
۴. حق تکثیر
۵. تقدیم
۶. پیشگفتار
۷. فصل ۱: مقدمه: ماهیت بینرشتهای فناوری نانو و نیاز آن به بهرهبرداری از تکنیکهای مشخصهیابی پیشرفته
۸. فصل ۲: مطالعات Ab initio خواص ساختاری و الکترونیکی
۹. فصل ۳: مشخصهیابی الکتریکی نانوساختارها
۱۰. فصل ۴: تعیین کرنش و ترکیب در ناهمساختارهای نیمهرسانا با استفاده از پراش پرتو ایکس با تفکیکپذیری بالا
۱۱. فصل ۵: تکنیکهای میکروسکوپ الکترونی عبوری برای تصویربرداری و ارزیابی ترکیبی در ناهمساختارهای نیمهرسانا
۱۲. فصل ۶: دسترسی به خواص ساختاری و الکترونیکی نانوساختارهای نیمهرسانا از طریق فوتولومینسانس
۱۳. فصل ۷: کاتدولومینسانس وابسته به توان در ناهمساختارهای III-نیترید: از غربالگری میدان داخلی تا تعدیل کنترلشده نوار ممنوعه
۱۴. فصل ۸: طیفسنجی رامان
۱۵. فصل ۹: ساختار ریز جذب پرتو ایکس در مطالعه ناهمساختارها و نانوساختارهای نیمهرسانا
۱۶. فصل ۱۰: نانوساختارها در پرتو تابش سنکروترون: تکنیکهای پرتو ایکس حساس به سطح و پراکندگی نابهنجار
۱۷. فصل ۱۱: ساختار ریز نابهنجار پراش با زاویه تابش مایل در مطالعه خواص ساختاری نانوساختارها
۱۸. فصل ۱۲: نقش طیفسنجیهای نشر نوری در تحقیق ناهمپیوند
۱۹. فصل ۱۳: ESR فصل مشترکها و لایههای نانو در ناهمساختارهای نیمهرسانا
۲۰. فهرست موضوعی
توضیحات(انگلیسی)
In the last couple of decades, high-performance electronic and optoelectronic devices based on semiconductor heterostructures have been required to obtain increasingly strict and well-defined performances, needing a detailed control, at the atomic level, of the structural composition of the buried interfaces. This goal has been achieved by an improvement of the epitaxial growth techniques and by the parallel use of increasingly sophisticated characterization techniques and of refined theoretical models based on ab initio approaches. This book deals with description of both characterization techniques and theoretical models needed to understand and predict the structural and electronic properties of semiconductor heterostructures and nanostructures.
- Comprehensive collection of the most powerful characterization techniques for semiconductor heterostructures and nanostructures
- Most of the chapters are authored by scientists that are among the top 10 worldwide in publication ranking of the specific field
- Each chapter starts with a didactic introduction on the technique
- The second part of each chapter deals with a selection of top examples highlighting the power of the specific technique to analyze the properties of semiconductors
Table of Contents
1. Cover image
2. Title page
3. Table of Contents
4. Copyright
5. Dedication
6. Preface
7. Chapter 1: Introduction: the interdisciplinary nature of nanotechnology and its need to exploit frontier characterization techniques
8. Chapter 2: Ab initio studies of structural and electronic properties
9. Chapter 3: Electrical characterization of nanostructures
10. Chapter 4: Strain and composition determination in semiconducting heterostructures by high-resolution X-ray diffraction
11. Chapter 5: Transmission electron microscopy techniques for imaging and compositional evaluation in semiconductor heterostructures
12. Chapter 6: Accessing structural and electronic properties of semiconductor nanostructures via photoluminescence
13. Chapter 7: Power-dependent cathodoluminescence in III–nitrides heterostructures: from internal field screening to controlled band-gap modulation
14. Chapter 8: Raman spectroscopy
15. Chapter 9: X-ray absorption fine structure in the study of semiconductor heterostructures and nanostructures
16. Chapter 10: Nanostructures in the light of synchrotron radiation: surface-sensitive X-ray techniques and anomalous scattering
17. Chapter 11: Grazing incidence diffraction anomalous fine structure in the study of structural properties of nanostructures
18. Chapter 12: The role of photoemission spectroscopies in heterojunction research
19. Chapter 13: ESR of interfaces and nanolayers in semiconductor heterostructures
20. Subject Index
✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه
بازگشت کامل وجه
در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.
دانلود پرسرعت
دانلود فایل کتاب با سرعت بالا
ارسال فایل به ایمیل
دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.
پشتیبانی ۲۴ ساعته
با چت آنلاین و پیامرسان ها پاسخگو هستیم.
ضمانت کیفیت کتاب
کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.
