ناهم‌لایه نشانی نیمه‌رساناها: نظریه، رشد و مشخصه‌یابی، ویرایش دوم ۲۰۱۶
Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization, Second Edition 2016

در ده سال گذشته، با رشد چشمگیر صنعت الکترونیک و توسعه انبوهی از ابزارهای هترواپیتکسیال برای روشنایی حالت جامد، انرژی سبز، نمایشگرها، ارتباطات و محاسبات دیجیتال، اهمیت هترواپیتکسی به‌طور مداوم افزایش یافته است. درک روزافزون ما از فیزیک و شیمی اساسی زیربنای هترواپیتکسی، به‌ویژه آرامش شبکه و دینامیک نابجایی، تمرکز روزافزونی را بر روی ابزارهای دگردیسی ممکن ساخته است. برای انعکاس این تمرکز، دو فصل کاملاً جدید در این ویرایش جدید گنجانده شده است. یک فصل به لایه‌های بافر دگردیسی می‌پردازد و فصل دیگر به دستگاه‌های دگردیسی. هفت فصل باقی‌مانده نیز به‌طور گسترده با مطالب جدیدی در مورد تقارن و روابط بلوری، مواد III-نیترید، فیزیک و مدل‌های آرامش شبکه، مشخصه‌یابی درجا و نقشه‌های فضای متقابل بازبینی شده‌اند.

In the past ten years, heteroepitaxy has continued to increase in importance with the explosive growth of the electronics industry and the development of a myriad of heteroepitaxial devices for solid state lighting, green energy, displays, communications, and digital computing. Our ever-growing understanding of the basic physics and chemistry underlying heteroepitaxy, especially lattice relaxation and dislocation dynamic, has enabled an ever-increasing emphasis on metamorphic devices. To reflect this focus, two all-new chapters have been included in this new edition. One chapter addresses metamorphic buffer layers, and the other covers metamorphic devices. The remaining seven chapters have been revised extensively with new material on crystal symmetry and relationships, III-nitride materials, lattice relaxation physics and models, in-situ characterization, and reciprocal space maps.