پیشرفت فناوری الکترونیک کاربید سیلیکون I: تماس‌های فلزی با کاربید سیلیکون: فیزیک، فناوری، کاربردها ۲۰۱۸
Advancing Silicon Carbide Electronics Technology I: Metal Contacts to Silicon Carbide: Physics, Technology, Applications 2018

فناوری سیلیکون کاربید که به سرعت در حال پیشرفت است، پتانسیل بالایی در الکترونیکِ دما بالا و فرکانس بالا دارد. پایداری حرارتی بالا و خنثایی شیمیایی برجسته، SiC را به ماده‌ای عالی برای قطعات نیمه‌رسانای توان بالا و کم‌تلفات تبدیل می‌کند. جلد حاضر، آخرین دستاوردهای ساخت و مشخصه‌یابی قطعات SiC را ارائه می‌دهد. موضوعات تحت پوشش عبارتند از: روش‌های پاک‌سازی و اچ سطوح SiC؛ روش‌های مشخصه‌یابی الکتریکی و فرآوری اتصالات اهمی به سیلیکون کاربید؛ تجزیه و تحلیل وابستگی مقاومت تماسی به خواص مواد؛ محدودیت‌ها و دقت اندازه‌گیری‌های مقاومت تماسی؛ ساخت اتصالات اهمی و طراحی ساختار تست؛ مروری بر طرح‌های متالیزاسیون و فناوری‌های پردازش مختلف؛ پایداری حرارتی اتصالات اهمی به SiC، حفاظت از آنها و سازگاری با فرآوری قطعات؛ اتصالات شاتکی به SiC؛ تشکیل سد شاتکی؛ ناهمگنی سد شاتکی در مواد SiC؛ فناوری و طراحی دیودهای شاتکی و سد پیوندی شاتکی 4H-SiC؛ دیودهای ناهم‌پیوندی Si/SiC؛ کاربردهای دیودهای شاتکی SiC در الکترونیک قدرت و حسگرهای دما/نور؛ قطعات سوئیچینگ تک‌قطبی و دوقطبی SiC با توان بالا؛ انواع مختلف قطعات SiC شامل محدودیت‌های مواد و فناوری بر عملکرد قطعه؛ کاربردها در زمینه اتصالات فلزی به سیلیکون کاربید؛ وضعیت و چشم‌انداز قطعات قدرت SiC.

 The rapidly advancing Silicon Carbide technology has a great potential in high temperature and high frequency electronics. High thermal stability and outstanding chemical inertness make SiC an excellent material for high-power, low-loss semiconductor devices. The present volume presents the state of the art of SiC device fabrication and characterization. Topics covered include: SiC surface cleaning and etching techniques; electrical characterization methods and processing of ohmic contacts to silicon carbide; analysis of contact resistivity dependence on material properties; limitations and accuracy of contact resistivity measurements; ohmic contact fabrication and test structure design; overview of different metallization schemes and processing technologies; thermal stability of ohmic contacts to SiC, their protection and compatibility with device processing; Schottky contacts to SiC; Schottky barrier formation; Schottky barrier inhomogeneity in SiC materials; technology and design of 4H-SiC Schottky and Junction Barrier Schottky diodes; Si/SiC heterojunction diodes; applications of SiC Schottky diodes in power electronics and temperature/light sensors; high power SiC unipolar and bipolar switching devices; different types of SiC devices including material and technology constraints on device performance; applications in the area of metal contacts to silicon carbide; status and prospects of SiC power devices.