حافظه‌های غیر فرّار سیلیکونی: مسیرهای نوآوری ۲۰۱۳
Silicon Non-Volatile Memories: Paths of Innovation 2013

حافظه‌های فلش نیمه‌هادی جزء لاینفک سیستم‌های الکترونیکی مدرن هستند و در دهه‌های اخیر، به دلیل تغییر تدریجی محرک‌های درآمد شرکت‌های تولیدکننده مدارهای مجتمع (IC) از محاسبات به محصولات مصرفی (به‌ویژه موبایل)، موقعیت استراتژیکی به دست آورده‌اند. این کتاب مروری جامع بر رویکردهای مختلف فناوری ارائه می‌دهد که در حال حاضر برای پاسخگویی به نیازهای حافظه در آینده مورد مطالعه قرار می‌گیرند.

در این کتاب، دو مسیر اصلی تحقیقاتی شناسایی و مورد بحث قرار گرفته‌اند. مسیرهای “تکاملی” مختلف بر اساس استفاده از مواد جدید (مانند نانوکریستال‌های سیلیکون برای گره‌های ذخیره‌سازی و عایق‌های با ثابت دی‌الکتریک بالا برای دی‌الکتریک‌های فعال) و ساختارهای ترانزیستوری جدید (مانند دستگاه‌های چند گیت) بررسی می‌شوند تا فناوری گیت شناور کلاسیک را به گره 32 نانومتر گسترش دهند.

همچنین مسیرهای “مخل” مبتنی بر مکانیسم‌های ذخیره‌سازی جدید یا فناوری‌های نوظهور (مانند دستگاه‌های تغییر فاز، حافظه‌های پلیمری یا مولکولی متقاطع) نیز پوشش داده شده‌اند تا نسل‌های 22 نانومتری و کوچک‌تر مدارهای مجتمع را مورد بررسی قرار دهند.

در نهایت، عوامل اصلی پدیدآورنده این پدیده‌ها شناسایی و تجزیه و تحلیل می‌شوند و نکاتی را در مورد فعالیت‌ها و پیشرفت‌های تحقیقاتی آینده در این زمینه ارائه می‌دهند.

Semiconductor flash memory is an indispensable component of modern electronic systems which has gained a strategic position in recent decades due to the progressive shift from computing to consumer (and particularly mobile) products as revenue drivers for Integrated Circuits (IC) companies. This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently being studied to fulfill future memory requirements. Two main research paths are identified and discussed. Different “evolutionary paths” based on the use of new materials (such as silicon nanocrystals for storage nodes and high-k insulators for active dielectrics) and of new transistor structures (such as multi-gate devices) are investigated in order to extend classical floating gate technology to the 32 nm node. “Disruptive paths” based on new storage mechanisms or new technologies (such as phase-change devices, polymer or molecular cross-bar memories) are also covered in order to address 22 nm and smaller IC generations. Finally, the main factors at the origin of these phenomena are identified and analyzed, providing pointers on future research activities and developments in this area.