ادوات و فناوری‌های نیمه‌رسانا برای الکترونیک فوق‌کم‌مصرف آینده ۲۰۲۱
Semiconductor Devices and Technologies for Future Ultra Low Power Electronics 2021

دانلود کتاب ادوات و فناوری‌های نیمه‌رسانا برای الکترونیک فوق‌کم‌مصرف آینده ۲۰۲۱ (Semiconductor Devices and Technologies for Future Ultra Low Power Electronics 2021) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف)

نویسنده

D. Nirmal, J. Ajayan, Patrick J. Fay

ناشر: CRC Press
voucher (1)

۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید

سال انتشار

2021

زبان

English

تعداد صفحه‌ها

302

نوع فایل

pdf

حجم

7.8MB

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

🏷️ قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود. قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.

📥 دانلود نسخه‌ی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمه‌ی فارسی با هوش مصنوعی 🔗 مشاهده جزئیات

پیش‌خرید با تحویل فوری(⚡️) | فایل کتاب حداکثر تا ۳۰ دقیقه(🕒) پس از ثبت سفارش آماده دانلود خواهد بود.

دانلود مستقیم PDF

ارسال فایل به ایمیل

پشتیبانی ۲۴ ساعته

توضیحات

معرفی کتاب ادوات و فناوری‌های نیمه‌رسانا برای الکترونیک فوق‌کم‌مصرف آینده ۲۰۲۱

این کتاب به مبانی و اهمیت مواد دوبعدی و فناوری‌های ترانزیستوری نیمه‌رسانای مرتبط با آن‌ها برای نسل بعدی کاربردهای الکترونیکی فوق‌العاده کم‌مصرف می‌پردازد. پوشش جامعی از ترانزیستورهای پیشرفته کم‌مصرف مانند NCFETها، FinFETها، TFETها و ترانزیستورهای انعطاف‌پذیر را برای کاربردهای آتی فوق‌العاده کم‌مصرف ارائه می‌دهد، که این امر ناشی از سوییچینگ زیرآستانه‌ای و مقیاس‌پذیری بهتر آن‌ها است. به علاوه، این متن به بررسی استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان برای کاربردهای حسگر زیستی پرداخته و ملاحظات طراحی و مدل‌سازی فشرده ترانزیستورهای پیشرفته کم‌مصرف مانند NCFETها، FinFETها و TFETها را پوشش می‌دهد. مثال‌هایی از شبیه‌سازی TCAD نیز ارائه شده است.

ویژگی‌ها:

* به آخرین به‌روزرسانی‌ها در زمینه ترانزیستورهای نیمه‌رسانای فوق‌العاده کم‌مصرف می‌پردازد
* راهکارهای تجربی و تحلیلی را برای TFETها و NCFETها ارائه می‌دهد
* فرایندهای سنتز و ساخت FinFETها را معرفی می‌کند
* به بررسی جزئیات مربوط به مواد دوبعدی و ترانزیستورهای دوبعدی می‌پردازد
* کاربرد FETها برای حسگری زیستی در حوزه بهداشت و درمان را بررسی می‌کند

هدف این کتاب محققان، متخصصان و دانشجویان تحصیلات تکمیلی در رشته‌های مهندسی برق، مهندسی الکترونیک و مخابرات، ادوات الکترونیکی، نانو الکترونیک و فناوری نانو، میکروالکترونیک و مدارهای حالت جامد هستند.


فهرست کتاب:

۱. روی جلد

۲. صفحه عنوان فرعی

۳. صفحه عنوان

۴. صفحه حق تکثیر

۵. فهرست

۶. پیشگفتار

۷. ویراستاران

۸. مشارکت‌کنندگان

۹. فصل ۱ مقدمه‌ای بر ترانزیستورهای فناوری CMOS در مقیاس نانو: چشم‌اندازی به آینده

۱۰. فصل ۲ ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET) با عملکرد بالا برای کاربردهای کم‌مصرف آینده

۱۱. فصل ۳ ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی III-V فوق‌کم‌مصرف

۱۲. فصل ۴ تحلیل عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانولوله کربنی و گرافن

۱۳. فصل ۵ مشخصه‌یابی FinFETهای سیلیکونی در ابعاد نانومقیاس

۱۴. فصل ۶ FinFETهای ژرمانیومی یا SiGe برای بهبود عملکرد در کاربردهای کم‌مصرف

۱۵. فصل ۷ تحلیل عملکرد سوئیچینگ FinFETهای III-V

۱۶. فصل ۸ ترانزیستورهای اثر میدانی با ظرفیت خازنی منفی برای رفع محدودیت‌های اساسی در مقیاس‌بندی فناوری

۱۷. فصل ۹ روندهای اخیر در مدل‌سازی فشرده ترانزیستورهای اثر میدانی با ظرفیت خازنی منفی

۱۸. فصل ۱۰ مبانی مواد دو بعدی

۱۹. فصل ۱۱ مواد دی‌کالکوژنید فلزات واسطه (TMD) دو بعدی در ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) برای کاربردهای کم‌مصرف

۲۰. نمایه

توضیحات(انگلیسی)

This book covers the fundamentals and significance of 2-D materials and related semiconductor transistor technologies for the next-generation ultra low power applications. It provides comprehensive coverage on advanced low power transistors such as NCFETs, FinFETs, TFETs, and flexible transistors for future ultra low power applications owing to their better subthreshold swing and scalability. In addition, the text examines the use of field-effect transistors for biosensing applications and covers design considerations and compact modeling of advanced low power transistors such as NCFETs, FinFETs, and TFETs. TCAD simulation examples are also provided.

FEATURES

  • Discusses the latest updates in the field of ultra low power semiconductor transistors
  • Provides both experimental and analytical solutions for TFETs and NCFETs
  • Presents synthesis and fabrication processes for FinFETs
  • Reviews details on 2-D materials and 2-D transistors
  • Explores the application of FETs for biosensing in the healthcare field

This book is aimed at researchers, professionals, and graduate students in electrical engineering, electronics and communication engineering, electron devices, nanoelectronics and nanotechnology, microelectronics, and solid-state circuits.


Table of Contents

1. Cover

2. Half Title Page

3. Title Page

4. Copyright Page

5. Contents

6. Preface

7. Editors

8. Contributors

9. Chapter 1 An Introduction to Nanoscale CMOS Technology Transistors: A Future Perspective

10. Chapter 2 High-Performance Tunnel Field-Effect Transistors (TFETs) for Future Low Power Applications

11. Chapter 3 Ultra Low Power III-V Tunnel Field-Effect Transistors

12. Chapter 4 Performance Analysis of Carbon Nanotube and Graphene Tunnel Field-Effect Transistors

13. Chapter 5 Characterization of Silicon FinFETs under Nanoscale Dimensions

14. Chapter 6 Germanium or SiGe FinFETs for Enhanced Performance in Low Power Applications

15. Chapter 7 Switching Performance Analysis of III-V FinFETs

16. Chapter 8 Negative Capacitance Field-Effect Transistors to Address the Fundamental Limitations in Technology Scaling

17. Chapter 9 Recent Trends in Compact Modeling of Negative Capacitance Field-Effect Transistors

18. Chapter 10 Fundamentals of 2-D Materials

19. Chapter 11 Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Materials in Field-Effect Transistor (FET) Devices for Low Power Applications

20. Index

دیگران دریافت کرده‌اند

✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه

بازگشت کامل وجه

در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.

دانلود پرسرعت

دانلود فایل کتاب با سرعت بالا

ارسال فایل به ایمیل

دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.

پشتیبانی ۲۴ ساعته

با چت آنلاین و پیام‌رسان ها پاسخگو هستیم.

ضمانت کیفیت کتاب

کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.