Sale
سوییچینگ مقاومتی: از مبانی فرآیندهای اکسایش-کاهش نانو یونی تا کاربردهای دستگاههای ممریستور ۲۰۱۵
Resistive Switching: From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications 2015
دانلود کتاب سوییچینگ مقاومتی: از مبانی فرآیندهای اکسایش-کاهش نانو یونی تا کاربردهای دستگاههای ممریستور ۲۰۱۵ (Resistive Switching: From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications 2015) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف)
| نویسنده |
Daniele Ielmini, Rainer Waser |
|---|
ناشر:
John Wiley & Sons
۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید
| سال انتشار |
2015 |
|---|---|
| زبان |
English |
| تعداد صفحهها |
784 |
| نوع فایل |
|
| حجم |
77.8MB |
🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.129,000 تومانقیمت فعلی: 129,000 تومان.
هوشمصنوعی ترجمه کالیبو
توضیحات
معرفی کتاب سوییچینگ مقاومتی: از مبانی فرآیندهای اکسایش-کاهش نانو یونی تا کاربردهای دستگاههای ممریستور ۲۰۱۵
این مرجع با پوشش جامعی که دارد، خوانندگان را با موضوع گستردهی سوئیچینگ مقاومتی آشنا میکند و دانش، ابزارها و روشهای لازم برای درک، توصیف و به کارگیری حافظههای سوئیچینگ مقاومتی را در اختیارشان قرار میدهد.
این کتاب با معرفی موادی که رفتار سوئیچینگ مقاومتی از خود نشان میدهند، به شرح مبانی سوئیچینگ مقاومتی، همچنین سازوکارها و مدلهای سوئیچینگ میپردازد. پس از بحثی عمیق در مورد قابلیت اطمینان حافظه، فصلهایی به ساختارها و معماریهای سلول حافظه اختصاص داده شده است، در حالی که بخشی در مورد گیتهای منطقی متن را به پایان میرساند.
این کتاب خودآموز و ارزشمند برای متخصصان علم مواد، مهندسان برق و فیزیکدانانی است که در زمینه تحقیق و توسعه حافظه فعالیت میکنند.
فهرست کتاب:
۱. جلد
۲. عنوانهای مرتبط
۳. صفحه عنوان
۴. حق نشر
۵. فهرست مطالب
۶. پیشگفتار
۷. فهرست مشارکتکنندگان
۸. فصل ۱: مقدمهای بر عناصر نانو یونی برای فناوری اطلاعات
۹. فصل ۲: سلولهای ReRAM در چارچوب دستگاههای دوقطبی
۱۰. فصل ۳: ساختار اتمی و الکترونی اکسیدها
۱۱. فصل ۴: ساختار نقص در اکسیدهای فلزی
۱۲. فصل ۵: انتقال یون در اکسیدهای فلزی
۱۳. فصل ۶: انتقال الکتریکی در اکسیدهای فلز واسطه
۱۴. فصل ۷: هدایت نقطه کوانتومی
۱۵. فصل ۸: فرآیندهای شکست دیالکتریک
۱۶. فصل ۹: فیزیک و شیمی سلولهای نانو یونی
۱۷. فصل ۱۰: فرآیندهای الکتروفورمینگ در سلولهای مقاومتی-سوئیچینگ اکسید فلزی
۱۸. فصل ۱۱: رفتار سوئیچینگ جهانی
۱۹. فصل ۱۲: تکنیکهای اندازهگیری شبهاستاتیک و پالس
۲۰. فصل ۱۳: مکانیزمهای سوئیچینگ مقاومتی تکقطبی
۲۱. فصل ۱۴: مدلسازی سینتیک سوئیچینگ نوع VCM و ECM
۲۲. فصل ۱۵: تغییر ظرفیت مشاهده شده توسط نانوسپکتروسکوپی و اسپکترومیکروسکوپی
۲۳. فصل ۱۶: سوئیچینگ نوع رابط
۲۴. فصل ۱۷: حافظههای متالیزاسیون الکتروشیمیایی
۲۵. فصل ۱۸: سوئیچهای اتمی
۲۶. فصل ۱۹: محدودیتهای مقیاسپذیری دستگاههای نانو یونی
۲۷. فصل ۲۰: فناوری یکپارچهسازی و طراحی سلول
۲۸. فصل ۲۱: جنبههای قابلیت اطمینان
۲۹. فصل ۲۲: مفاهیم دستگاه انتخابی برای آرایههای متقاطع
۳۰. فصل ۲۳: رویکردهای پایین به بالا برای حافظههای سوئیچینگ مقاومتی
۳۱. فصل ۲۴: کاربرد سوئیچ در FPGA
۳۲. فصل ۲۵: محاسبات نورومورفیک مبتنی بر ReRAM
۳۳. فهرست
۳۴. توافقنامه مجوز کاربر نهایی
توضیحات(انگلیسی)
With its comprehensive coverage, this reference introduces readers to the wide topic of resistance switching, providing the knowledge, tools, and methods needed to understand, characterize and apply resistive switching memories.
Starting with those materials that display resistive switching behavior, the book explains the basics of resistive switching as well as switching mechanisms and models. An in-depth discussion of memory reliability is followed by chapters on memory cell structures and architectures, while a section on logic gates rounds off the text.
An invaluable self-contained book for materials scientists, electrical engineers and physicists dealing with memory research and development.
Starting with those materials that display resistive switching behavior, the book explains the basics of resistive switching as well as switching mechanisms and models. An in-depth discussion of memory reliability is followed by chapters on memory cell structures and architectures, while a section on logic gates rounds off the text.
An invaluable self-contained book for materials scientists, electrical engineers and physicists dealing with memory research and development.
Table of Contents
1. Cover
2. Related Titles
3. Title Page
4. Copyright
5. Table of Contents
6. Preface
7. List of Contributors
8. Chapter 1: Introduction to Nanoionic Elements for Information Technology
9. Chapter 2: ReRAM Cells in the Framework of Two-Terminal Devices
10. Chapter 3: Atomic and Electronic Structure of Oxides
11. Chapter 4: Defect Structure of Metal Oxides
12. Chapter 5: Ion Transport in Metal Oxides
13. Chapter 6: Electrical Transport in Transition Metal Oxides
14. Chapter 7: Quantum Point Contact Conduction
15. Chapter 8: Dielectric Breakdown Processes
16. Chapter 9: Physics and Chemistry of Nanoionic Cells
17. Chapter 10: Electroforming Processes in Metal Oxide Resistive-Switching Cells
18. Chapter 11: Universal Switching Behavior
19. Chapter 12: Quasistatic and Pulse Measuring Techniques
20. Chapter 13: Unipolar Resistive-Switching Mechanisms
21. Chapter 14: Modeling the VCM- and ECM-Type Switching Kinetics
22. Chapter 15: Valence Change Observed by Nanospectroscopy and Spectromicroscopy
23. Chapter 16: Interface-Type Switching
24. Chapter 17: Electrochemical Metallization Memories
25. Chapter 18: Atomic Switches
26. Chapter 19: Scaling Limits of Nanoionic Devices
27. Chapter 20: Integration Technology and Cell Design
28. Chapter 21: Reliability Aspects
29. Chapter 22: Select Device Concepts for Crossbar Arrays
30. Chapter 23: Bottom-Up Approaches for Resistive Switching Memories
31. Chapter 24: Switch Application in FPGA
32. Chapter 25: ReRAM-Based Neuromorphic Computing
33. Index
34. End User License Agreement
دیگران دریافت کردهاند
✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه
بازگشت کامل وجه
در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.
دانلود پرسرعت
دانلود فایل کتاب با سرعت بالا
ارسال فایل به ایمیل
دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.
پشتیبانی ۲۴ ساعته
با چت آنلاین و پیامرسان ها پاسخگو هستیم.
ضمانت کیفیت کتاب
کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.
