فیزیک و فناوری نیمه‌رسانای اکسید کریستالی هم‌راستای C محور CAAC-IGZO: کاربرد در LSI ۲۰۱۶
Physics and Technology of Crystalline Oxide Semiconductor CAAC-IGZO: Application to LSI 2016

این کتاب به کاربرد فناوری اکسید ایندیم-گالیوم-روی کریستالی هم‌راستا شده با محور c (CAAC-IGZO) در مدارهای مجتمع در مقیاس بزرگ (LSI) می‌پردازد. این کاربردها شامل حافظه تصادفی غیر فرار نیمه‌رسانای اکسیدی (NOSRAM)، حافظه تصادفی پویا نیمه‌رسانای اکسیدی (DOSRAM)، واحد پردازش مرکزی (CPU)، آرایه دروازه‌ای قابل برنامه‌ریزی در محل (FPGA)، حسگرهای تصویر و غیره است. این کتاب همچنین فیزیک دستگاه (به عنوان مثال، ویژگی‌های حالت خاموش) ترانزیستورهای اثر میدانی CAAC-IGZO (FET) و فناوری فرآیند برای یک ساختار ترکیبی از CAAC-IGZO و Si FET را پوشش می‌دهد. این اثر، فناوری جریان بسیار کم حالت خاموش مورد استفاده در مدارهای LSI را توضیح می‌دهد و کاهش مصرف برق در نمونه‌های اولیه LSI ساخته شده توسط فرآیند ترکیبی را نشان می‌دهد. دو کتاب دیگر در این مجموعه به تشریح اصول اولیه و کاربرد خاص CAAC-IGZO در نمایشگرهای LCD و OLED خواهند پرداخت.

ویژگی‌های کلیدی:

* فیزیک و ویژگی‌های FETهای CAAC-IGZO را که به عملکرد مطلوب دستگاه‌های LSI کمک می‌کنند، تشریح می‌کند.
* کاربرد CAAC-IGZO در دستگاه‌های LSI را توضیح می‌دهد و ویژگی‌هایی از جمله جریان کم حالت خاموش، مصرف کم انرژی و نگهداری بار عالی را برجسته می‌کند.
* NOSRAM، DOSRAM، CPU، FPGA، حسگرهای تصویر و غیره را با اشاره به تراشه‌های نمونه اولیه ساخته شده توسط یک فرآیند ترکیبی از CAAC-IGZO و Si FET توصیف می‌کند.

This book describes the application of c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) technology in large-scale integration (LSI) circuits. The applications include Non-volatile Oxide Semiconductor Random Access Memory (NOSRAM), Dynamic Oxide Semiconductor Random Access Memory (DOSRAM), central processing unit (CPU), field-programmable gate array (FPGA), image sensors, and etc. The book also covers the device physics (e.g., off-state characteristics) of the CAAC-IGZO field effect transistors (FETs) and process technology for a hybrid structure of CAAC-IGZO and Si FETs. It explains an extremely low off-state current technology utilized in the LSI circuits, demonstrating reduced power consumption in LSI prototypes fabricated by the hybrid process. A further two books in the series will describe the fundamentals; and the specific application of CAAC-IGZO to LCD and OLED displays.

Key features:

• Outlines the physics and characteristics of CAAC-IGZO FETs that contribute to favorable operations of LSI devices.
• Explains the application of CAAC-IGZO to LSI devices, highlighting attributes including low off-state current, low power consumption, and excellent charge retention.
• Describes the NOSRAM, DOSRAM, CPU, FPGA, image sensors, and etc., referring to prototype chips fabricated by a hybrid process of CAAC-IGZO and Si FETs.