مدل‌سازی قطعات نیمه‌رسانای قدرت دوقطبی ۲۰۲۲
Modeling Bipolar Power Semiconductor Devices 2022

دانلود کتاب مدل‌سازی قطعات نیمه‌رسانای قدرت دوقطبی ۲۰۲۲ (Modeling Bipolar Power Semiconductor Devices 2022) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف)

نویسنده

Tanya K. Gachovska, Jerry L. Hudgins, Enrico Santi, Angus Bryant

voucher-1

۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید

سال انتشار

2022

زبان

English

تعداد صفحه‌ها

88

نوع فایل

pdf

حجم

6.0MB

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

🏷️ قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود. قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.

📥 دانلود نسخه‌ی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمه‌ی فارسی با هوش مصنوعی 🔗 مشاهده جزئیات

پیش‌خرید با تحویل فوری(⚡️) | فایل کتاب حداکثر تا ۳۰ دقیقه(🕒) پس از ثبت سفارش آماده دانلود خواهد بود.

دانلود مستقیم PDF

ارسال فایل به ایمیل

پشتیبانی ۲۴ ساعته

توضیحات

معرفی کتاب مدل‌سازی قطعات نیمه‌رسانای قدرت دوقطبی ۲۰۲۲

این کتاب به ارائه مدل‌های مبتنی بر فیزیکِ قطعات نیمه‌رسانای قدرت دوقطبی و پیاده‌سازی آن‌ها در متلب و سیمولینک می‌پردازد. این قطعات به نواحی مختلف تقسیم شده‌اند و عملکرد در هر ناحیه، به همراه برهم‌کنش‌ها در فصل مشترک‌ها، با استفاده از معادلات پایه فیزیک نیمه‌رسانا که رفتار آن‌ها را کنترل می‌کنند، تحلیل می‌شود. از حل سری فوریه برای حل معادله پخش آمبی‌پلار در ناحیه دریفت کم‌تراکم قطعات استفاده شده است. علاوه بر مشخصه‌های الکتریکی بیرونی، اطلاعات فیزیکی و الکتریکی داخلی، مانند ولتاژهای پیوند و توزیع حامل‌ها در نواحی مختلف قطعه، را می‌توان با استفاده از این مدل‌ها به دست آورد.


فهرست کتاب:

۱. جلد

۲. صفحهٔ حق تکثیر

۳. صفحهٔ عنوان

۴. تقدیم‌نامه

۵. فهرست مطالب

۶. پیشگفتار

۷. نامگذاری

۸. مقدمه‌ای بر مدل‌سازی قطعات نیمه‌رسانای قدرت

۹. فیزیک قطعات نیمه‌رسانای قدرت

۱۰. مدل‌سازی دیود قدرت و IGBT

۱۱. IGBT تحت شرایط سوئیچینگ بار القایی در Simulink”AE

۱۲. استخراج پارامتر

۱۳. منابع

۱۴. زندگی‌نامه نویسندگان

توضیحات(انگلیسی)
This book presents physics-based models of bipolar power semiconductor devices and their implementation in MATLAB and Simulink. The devices are subdivided into different regions, and the operation in each region, along with the interactions at the interfaces which are analyzed using basic semiconductor physics equations that govern their behavior. The Fourier series solution is used to solve the ambipolar diffusion equation in the lightly doped drift region of the devices. In addition to the external electrical characteristics, internal physical and electrical information, such as the junction voltages and the carrier distribution in different regions of the device, can be obtained using the models.


Table of Contents

1. Cover

2. Copyright Page

3. Title Page

4. Dedication

5. Contents

6. Preface

7. Nomenclature

8. Introduction to Power Semiconductor Device Modeling

9. Physics of Power Semiconductor Devices

10. Modeling of a Power Diode and IGBT

11. IGBT Under an Inductive Load-Switching Condition in Simulink"AE

12. Parameter Extraction

13. References

14. Authors' Biographies

دیگران دریافت کرده‌اند

✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه

بازگشت کامل وجه

در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.

دانلود پرسرعت

دانلود فایل کتاب با سرعت بالا

ارسال فایل به ایمیل

دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.

پشتیبانی ۲۴ ساعته

با چت آنلاین و پیام‌رسان ها پاسخگو هستیم.

ضمانت کیفیت کتاب

کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.