فناوری حافظه مغناطیسی ۲۰۲۰
Magnetic Memory Technology 2020

دانلود کتاب فناوری حافظه مغناطیسی ۲۰۲۰ (Magnetic Memory Technology 2020) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف) و ترجمه فارسی

نویسنده

Denny D. Tang, Chi-Feng Pai

voucher (1)

۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید

سال انتشار

2020

زبان

English

تعداد صفحه‌ها

352

نوع فایل

pdf

حجم

16.0 MB

از: قیمت اصلی 200,000 تومان بود.قیمت فعلی 129,000 تومان است.

🏷️ قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود. قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.

📥 دانلود نسخه‌ی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمه‌ی فارسی با هوش مصنوعی 🔗 مشاهده جزئیات

پیش‌خرید با تحویل فوری(⚡️) | فایل کتاب حداکثر تا ۳۰ دقیقه(🕒) پس از ثبت سفارش آماده دانلود خواهد بود.

دانلود مستقیم PDF

ارسال فایل به ایمیل

پشتیبانی ۲۴ ساعته

توضیحات

معرفی کتاب فناوری حافظه مغناطیسی ۲۰۲۰

**با این منبع جامع، از آخرین وضعیت فناوری MRAM و کاربردهای آن مطلع شوید**

کتاب *فناوری حافظه مغناطیسی: MRAM گشتاور انتقال اسپین و فراتر از آن* ترکیبی از مباحث بنیادی و پیشرفته را در اختیار دانشجویان و متخصصان قرار می‌دهد تا درک کاملی از MRAM و سایر حافظه‌های غیر فرار مانند PCM و ReRAM به دست آورند. نویسندگان، ضمن ارائه مقدمه‌ای جامع بر مبانی مغناطیس و اسپین الکترون، به تجزیه و تحلیل فیزیک اتصالات تونل مغناطیسی (MTJ) در ارتباط با کاربردهای حافظه می‌پردازند.

این کتاب، توانایی منحصر به فرد MRAM را در ارائه حافظه بدون نیاز به حرکت اتم‌ها در داخل دستگاه هنگام تغییر وضعیت بررسی می‌کند. صرفه‌جویی در مصرف انرژی و قابلیت اطمینان حاصل از این ویژگی، پتانسیل فوق‌العاده‌ای به MRAM می‌بخشد. نویسندگان، وضعیت فعلی تحقیقات آکادمیک در فناوری MRAM را شرح می‌دهند که بر کاهش میزان انرژی مورد نیاز برای تغییر جهت مغناطش متمرکز است.

از جمله موضوعات دیگری که خوانندگان از بحث‌های کتاب بهره‌مند خواهند شد، می‌توان به موارد زیر اشاره کرد:

* مقدمه‌ای بر الکترومغناطیس پایه، شامل مبانی نیروی مغناطیسی و سایر مفاهیم
* شرح کامل مغناطیس و مواد مغناطیسی، شامل طبقه‌بندی و خواص لایه‌های نازک مغناطیسی و آماده‌سازی و مشخصه‌یابی مواد آن‌ها
* توصیف جامع دستگاه‌های مقاومت مغناطیسی بزرگ (GMR) و مقاومت مغناطیسی تونلی (TMR) و مدل الکتریکی معادل آن‌ها
* جریان اسپین و دینامیک اسپین، شامل خواص جریان اسپین، اثر هال معمولی، اثر هال غیرعادی و اثر هال اسپین
* دسته‌های مختلف حافظه دسترسی تصادفی مغناطیسی، از جمله MRAM حالت نوشتن میدان، MRAM انتقال گشتاور اسپین (STT)، MRAM گشتاور اسپین-مدار (SOT) و موارد دیگر

کتاب *فناوری حافظه مغناطیسی: MRAM گشتاور انتقال اسپین و فراتر از آن*، مناسب برای دانشجویان ارشد و فارغ التحصیل رشته مهندسی برق و برنامه‌های مشابه یا دوره‌های آموزشی در زمینه‌هایی مانند اسپینترونیک است و همچنین برای مهندسان و سایر متخصصان فعال در طراحی، توسعه و تولید فناوری‌های MRAM نیز مفید خواهد بود.


فهرست کتاب:

۱. روی جلد

۲. فهرست مطالب

۳. صفحه عنوان

۴. صفحه حق چاپ

۵. پیشگفتار

۶. شرح حال نویسندگان

۷. فهرست جداول و اشکال ذکر شده

۱ الکترومغناطیس پایه

۲ مغناطیس و مواد مغناطیسی

۳ لایه‌های نازک مغناطیسی

۴ اثرات مقاومت مغناطیسی

۵ سوئیچینگ مغناطیسی و ممری‌های مغناطیسی میدانی (Field MRAMs)

۶ جریان اسپین و دینامیک اسپین

۷ مهندسی ممری مغناطیسی انتقال گشتاور اسپینی (STT-MRAM)

۸ حالت‌های پیشرفته سوئیچینگ ممری مغناطیسی (MRAM)

۹ کاربردها و تولید ممری مغناطیسی (MRAM)

۱۷. پیوست الف: پخت نگهداری (شامل چرخش دو طرفه)

۱۸. پیوست ب: مقیاس‌بندی مبتنی بر عملکرد حافظه

۱۹. پیوست پ: ملاحظات طراحی پهنای باند بالا برای STT-MRAM

۲۰. نمایه

۲۱. توافقنامه مجوز کاربری نهایی

توضیحات(انگلیسی)

STAY UP TO DATE ON THE STATE OF MRAM TECHNOLOGY AND ITS APPLICATIONS WITH THIS COMPREHENSIVE RESOURCE

Magnetic Memory Technology: Spin-Transfer-Torque MRAM and Beyond delivers a combination of foundational and advanced treatments of the subjects necessary for students and professionals to fully understand MRAM and other non-volatile memories, like PCM, and ReRAM. The authors offer readers a thorough introduction to the fundamentals of magnetism and electron spin, as well as a comprehensive analysis of the physics of magnetic tunnel junction (MTJ) devices as it relates to memory applications.

This book explores MRAM's unique ability to provide memory without requiring the atoms inside the device to move when switching states. The resulting power savings and reliability are what give MRAM its extraordinary potential. The authors describe the current state of academic research in MRAM technology, which focuses on the reduction of the amount of energy needed to reorient magnetization.

Among other topics, readers will benefit from the book's discussions of:

  • An introduction to basic electromagnetism, including the fundamentals of magnetic force and other concepts
  • An thorough description of magnetism and magnetic materials, including the classification and properties of magnetic thin film properties and their material preparation and characterization
  • A comprehensive description of Giant magnetoresistance (GMR) and tunneling magnetoresistance (TMR) devices and their equivalent electrical model
  • Spin current and spin dynamics, including the properties of spin current, the Ordinary Hall Effect, the Anomalous Hall Effect, and the spin Hall effect
  • Different categories of magnetic random-access memory, including field-write mode MRAM, Spin-Torque-Transfer (STT) MRAM, Spin-Orbit Torque (SOT) MRAM, and others

Perfect for senior undergraduate and graduate students studying electrical engineering, similar programs, or courses on topics like spintronics, Magnetic Memory Technology: Spin-Transfer-Torque MRAM and Beyond also belongs on the bookshelves of engineers and other professionals involved in the design, development, and manufacture of MRAM technologies.


Table of Contents

1. Cover

2. Table of Contents

3. Title Page

4. Copyright Page

5. Preface

6. Author Biographies

7. List of Cited Tables and Figures

1 Basic Electromagnetism

2 Magnetism and Magnetic Materials

3 Magnetic Thin Films

4 Magnetoresistance Effects

5 Magnetization Switching and Field MRAMs

6 Spin Current and Spin Dynamics

7 Spin‐Torque‐Transfer (STT) MRAM Engineering

8 Advanced Switching MRAM Modes

9 MRAM Applications and Production

17. Appendix A: Retention Bake (Including Two‐Way Flip)

18. Appendix B: Memory Functionality‐Based Scaling

19. Appendix C: High‐Bandwidth Design Considerations for STT‐MRAM

20. Index

21. End User License Agreement

دیگران دریافت کرده‌اند

فورد برونکو: شاسی بلند اصلی ۲۰۲۳
Ford Bronco: The Original SUV 2023

از: قیمت اصلی 200,000 تومان بود.قیمت فعلی 129,000 تومان است.

سایر کتاب‌های ناشر

فورد برونکو: شاسی بلند اصلی ۲۰۲۳
Ford Bronco: The Original SUV 2023

از: قیمت اصلی 200,000 تومان بود.قیمت فعلی 129,000 تومان است.

✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه

بازگشت کامل وجه

در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.

دانلود پرسرعت

دانلود فایل کتاب با سرعت بالا

ارسال فایل به ایمیل

دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.

پشتیبانی ۲۴ ساعته

با چت آنلاین و پیام‌رسان ها پاسخگو هستیم.

ضمانت کیفیت کتاب

کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.