مطالعات سینتیکی در سیستم GeO2/Ge: بازنگری از سال ۲۰۲۱ ۲۰۲۲
Kinetic Studies in GeO2/Ge System: A Retrospective from 2021 2022

بررسی кинеتیکی سیستم GeO2/Ge: نگاهی به گذشته از سال ۲۰۲۱، به بررسی кинеتیک واکنش در سیستم‌های GeO2/Ge می‌پردازد. هدف این کتاب، نشان دادن مبانی رابط GeO2/Ge و ارائه بینشی در مورد ویژگی‌ها و عملکرد متمایز ژرمانیوم (Ge) در کاربردهای پیشرفته‌ی قطعات نیمه‌رسانای اکسید فلزی مکمل (CMOS) است.

این کتاب ابتدا به بررسی سیر تحول فناوری MOS می‌پردازد و پتانسیل‌های ژرمانیومِ نوظهور و چالش‌های پیش روی آن را به عنوان ماده‌ی کانالی مورد مناقشه، که زمانی امید می‌رفت جایگزین سیلیکون (Si) در گره‌های پیشرفته شود، مورد بحث قرار می‌دهد. این مطالعه به طور سیستماتیک جنبه‌های زیر از پشته‌های GeO2/Ge را تجزیه و تحلیل می‌کند که نور جدیدی بر ویژگی‌ها و اصول واکنش این سیستم می‌تاباند: تخریب GeO2/Ge، تکنیک‌های غیرفعال‌سازی Ge، кинеتیک واجذبی GeO از GeO2/Ge، رابطه بین تبلور GeO2 و واکنش رابط GeO2/Ge و кинеتیک اکسیداسیون Ge. نویسنده بر اساس یافته‌های حاصل از خواص ذاتی GeO2/Ge، آن را با سیستم‌های متداول SiO2/Si نیز مقایسه می‌کند و تفاوت‌های اساسی بین این دو را نشان می‌دهد، که به کنترل کیفیت، بهینه‌سازی فرآیند و پیشرفت‌های تکنولوژی GeO2/Ge کمک می‌کند.

این کتاب مرجعی مفید برای محققان، متخصصان و دانشجویان علاقه‌مند به مواد الکترونیکی، فیزیک ماده‌ی چگال، مهندسی میکروالکترونیک و نیمه‌رساناها خواهد بود.

Kinetic Studies in GeO2/Ge System: A Retrospective from 2021 investigates reaction kinetics in GeO2/Ge systems, aiming to demonstrate the fundamentals of the GeO2/Ge interface and to give insight into the distinctive features and performance of Ge (germanium) applied to advanced complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices.

This book first reviews the development of MOS technology and discusses the potentials of emerging Ge and the challenges facing it as a contentious channel material, once promising to replace Si (silicon) for advanced nodes. The study systematically analyzes the following aspects of GeO2/Ge stacks that will shed light on the characteristics and reaction principles of the system: GeO2/Ge degradation, Ge passivation techniques, desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge, the relationship between GeO2 crystallization and GeO2/Ge interface reaction, and the oxidation kinetics of Ge. Based on findings from the intrinsic properties of GeO2/Ge, the author also compares it with prevalent SiO2/Si systems and demonstrates the essential differences between the two, contributing to quality control, process optimization, and technology advancements of GeO2/Ge.

The book will be a useful reference for researchers, professionals, and students interested in electronic materials, condenser matter physics, microelectronic engineering, and semiconductors.