ترانزیستورهای اثر میدانی بدون پیوند: طراحی، مدل‌سازی و شبیه‌سازی ۲۰۱۹
Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and Simulation 2019

مرجعی جامع و تک‌جلدی دربارۀ روش‌ها، فنون و پژوهش‌های روز در ترانزیستورهای اثر میدان بدون پیوند

پیشرفت‌ها در فناوری ترانزیستور، محرک انقلاب دستگاه‌های هوشمند مدرن بوده‌اند—بسیاری از تلفن‌های همراه، ساعت‌ها، لوازم خانگی و دستگاه‌های متعدد دیگر مورد استفاده روزمره، اکنون از عملکرد ابررایانه‌های اتاق‌پُرِ گذشته فراتر می‌روند. دستگاه‌های الکترونیکی در این عصر اینترنت اشیاء (IoT) به دلیل مقیاس‌بندی ترانزیستورهای اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلز (MOSFET) به‌طور فزاینده‌ای سیارتر، قدرتمندتر و همه‌کاره‌تر می‌شوند. مقیاس‌بندی بی‌وقفه MOSFETهای معمولی برای پاسخگویی به نیازهای مصرف‌کننده بدون کاهش عملکرد، به دلیل وجود پیوندهای متالورژیکی، نیازمند فرآیند ساخت پرهزینه و پیچیده است. برخلاف MOSFETهای معمولی، ترانزیستورهای اثر میدان بدون پیوند (JLFET) هیچ پیوند متالورژیکی ندارند، بنابراین فرآیند ساخت آن‌ها ساده‌تر و تولیدشان کم‌هزینه‌تر است. JLFETها از یک لایه نیمه‌رسانای گیت‌دار برای کنترل مقاومت و جریان عبوری از آن استفاده می‌کنند. کتاب *ترانزیستورهای اثر میدان بدون پیوند: طراحی، مدل‌سازی و شبیه‌سازی* مرجعی جامع و یکجا برای مطالعه و تحقیق در مورد JLFETها است.

این کتاب به‌موقع، فیزیک بنیادی عملکرد JLFET، معماری‌های نوظهور، روش‌های مدل‌سازی و شبیه‌سازی، تجزیه و تحلیل تطبیقی معیارهای عملکرد JLFET و چندین واقعیت جالب دیگر مربوط به JLFETها را پوشش می‌دهد. یک چارچوب شبیه‌سازی کالیبره‌شده، شامل راهنمایی در مورد نرم‌افزار Sentaurus TCAD، محققان را قادر می‌سازد تا JLFETها را بررسی کنند، معماری‌های جدید توسعه دهند و عملکرد را بهبود بخشند. این منبع ارزشمند:

• به چالش‌های طراحی و معماری پیش روی JLFET به عنوان جایگزینی برای MOSFET می‌پردازد.
• رویکردهای مختلف برای مدل‌سازی تحلیلی و فشرده JLFETها در طراحی و شبیه‌سازی مدار را بررسی می‌کند.
• توضیح می‌دهد که چگونه از نرم‌افزار Technology Computer-Aided Design (TCAD) برای تولید شبیه‌سازی‌های عددی JLFETها استفاده شود.
• مسیرهای تحقیقاتی و کاربردهای بالقوه JLFETها را پیشنهاد می‌کند.

کتاب *ترانزیستورهای اثر میدان بدون پیوند: طراحی، مدل‌سازی و شبیه‌سازی* یک منبع ضروری برای محققان طراحی دستگاه‌های CMOS و دانشجویان پیشرفته در زمینه فیزیک و دستگاه‌های نیمه‌رسانا است.

A comprehensive one-volume reference on current JLFET methods, techniques, and research

Advancements in transistor technology have driven the modern smart-device revolution—many cell phones, watches, home appliances, and numerous other devices of everyday usage now surpass the performance of the room-filling supercomputers of the past. Electronic devices are continuing to become more mobile, powerful, and versatile in this era of internet-of-things (IoT) due in large part to the scaling of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Incessant scaling of the conventional MOSFETs to cater to consumer needs without incurring performance degradation requires costly and complex fabrication process owing to the presence of metallurgical junctions. Unlike conventional MOSFETs, junctionless field-effect transistors (JLFETs) contain no metallurgical junctions, so they are simpler to process and less costly to manufacture.JLFETs utilize a gated semiconductor film to control its resistance and the current flowing through it. Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and Simulation is an inclusive, one-stop referenceon the study and research on JLFETs

This timely book covers the fundamental physics underlying JLFET operation, emerging architectures, modeling and simulation methods, comparative analyses of JLFET performance metrics, and several other interesting facts related to JLFETs. A calibrated simulation framework, including guidance on SentaurusTCAD software, enables researchers to investigate JLFETs, develop new architectures, and improve performance. This valuable resource:

• Addresses the design and architecture challenges faced by JLFET as a replacement for MOSFET
• Examines various approaches for analytical and compact modeling of JLFETs in circuit design and simulation
• Explains how to use Technology Computer-Aided Design software (TCAD) to produce numerical simulations of JLFETs
• Suggests research directions and potential applications of JLFETs

Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and Simulation is an essential resource for CMOS device design researchers and advanced students in the field of physics and semiconductor devices.