نیمه‌رساناهای نیتریدی III-V: کاربردها و ادوات ۲۰۲۲
III-V Nitride Semiconductors: Applications and Devices 2022

دانلود کتاب نیمه‌رساناهای نیتریدی III-V: کاربردها و ادوات ۲۰۲۲ (III-V Nitride Semiconductors: Applications and Devices 2022) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف)

نویسنده

Edward T. Yu

ناشر: CRC Press
voucher-1

۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید

سال انتشار

2022

زبان

English

تعداد صفحه‌ها

714

نوع فایل

pdf

حجم

507.6MB

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

🏷️ قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود. قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.

📥 دانلود نسخه‌ی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمه‌ی فارسی با هوش مصنوعی 🔗 مشاهده جزئیات

پیش‌خرید با تحویل فوری(⚡️) | فایل کتاب حداکثر تا ۳۰ دقیقه(🕒) پس از ثبت سفارش آماده دانلود خواهد بود.

دانلود مستقیم PDF

ارسال فایل به ایمیل

پشتیبانی ۲۴ ساعته

توضیحات

معرفی کتاب نیمه‌رساناهای نیتریدی III-V: کاربردها و ادوات ۲۰۲۲

مفاهیم مطرح‌شده در این کتاب، مروری جامع بر آخرین دستاوردهای حوزه‌ی گسترده‌ی قطعات نیمه‌رسانای نیتریدی ارائه می‌دهد، و در عین حال، به بررسی دقیق مسائل مرتبط با مواد و فرآیندهای ساخت می‌پردازد که برای این کاربردها از اهمیت ویژه‌ای برخوردارند. با توجه به میزان علاقه‌مندی به مواد نیمه‌رسانای نیتریدی و کاربردهای قطعات ساخته‌شده بر پایه‌ی آن‌ها، و همچنین با در نظر گرفتن مرحله‌ی کنونی پژوهش در این زمینه، این مجموعه، اثری بسیار به‌موقع و ضروری است.

این کتاب، مجموعه‌ای از مقالات است که توسط برجسته‌ترین محققان در حوزه‌ی مواد نیتریدی و فناوری قطعات، به رشته‌ی تحریر درآمده است و به موضوعاتی نظیر اتصالات اهمی و شاتکی، دیودهای لیزری چاه کوانتومی چندگانه AIGalnN، لیزرهای گسیل‌کننده‌ی حفره‌ی عمودی نیتریدی و آشکارسازهای فرابنفش می‌پردازد.

این اثر بی‌نظیر، هم برای تازه‌واردان به این حوزه، مروری جامع و مقدمه‌ای مفید بر کاربردها و قطعات مبتنی بر GaN و ترکیبات مرتبط با آن ارائه می‌دهد و هم برای محققان باتجربه، انگیزه‌ای برای پیشرفت‌های بیشتر خواهد بود.


فهرست کتاب:

۱. روی جلد

۲. صفحه عنوان داخلی

۳. مجموعه

۴. عنوان

۵. حق چاپ

۶. فهرست

۷. درباره مجموعه

۸. پیشگفتار

۹. مقدمه

۱ اتصالات اهمی به GaN

۲. مشخصه‌یابی اتصالات شاتکی بر روی نیمه‌رساناهای نیتریدی

۳. یکپارچه‌سازی لایه‌های نازک GaN با مواد زیرلایه ناهمسان از طریق پیوند ویفری و جدا سازی لیزری

۴. قطبش خودبه‌خودی و پیزوالکتریک در ناهم‌ساختارهای نیتریدی

۵. ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا AlGaN/GaN

۶. خواص انتقال گاز الکترونی دوبعدی در ترانزیستورهای اثر میدانی ناهم‌ساختار AlGaN/GaN

۷. انتقال الکترون در نیمه‌رساناها و ناهم‌ساختارهای با گاف نواری پهن

۸. ترانزیستور اثر میدانی فلز-نیمه‌رسانای GaN

۹. اثر پیزوالکتریک در ناهم‌ساختارها و چاه‌های کوانتومی مبتنی بر نیترید گروه III

۱۰. دیودهای لیزر MQW AlGaInN

۱۱. لیزرهای گسیل‌کننده‌ی سطحی حفره‌ی عمودی آبی و لیزرهای نقطه‌ی کوانتومی InGaN

۱۲. آشکارسازهای نوری فرابنفش مبتنی بر III-Nitride

۱۳. آشکارسازهای نوری فرابنفش III-Nitride

۱۴. آشکارسازهای نوری فرابنفش AlGaN

۲۴. نمایه

توضیحات(انگلیسی)
The concepts in this book will provide a comprehensive overview of the current state for a broad range of nitride semiconductor devices, as well as a detailed introduction to selected materials and processing issues of general relevance for these applications. This compilation is very timely given the level of interest and the current stage of research in nitride semiconductor materials and device applications. This volume consists of chapters written by a number of leading researchers in nitride materials and device technology addressing Ohmic and Schottky contacts, AIGalnN multiple quantum well laser diodes, nitride vertical cavity emitting lasers, and ultraviolet photodetectors. This unique volume provides a comprehensive review and introduction to application and devices based on GaN and related compounds for newcomers to the field and stimulus to further advances for experienced researchers.


Table of Contents

1. Cover

2. Half Title

3. Series

4. Title

5. Copyright

6. CONTENTS

7. About the Series

8. Preface

9. Introduction

1 Ohmic Contacts to GaN

2 Characterization of Schottky Contacts on Nitride Semiconductors

3 Integration of GaN Thin Films with Dissimilar Substrate Materials by Wafer Bonding and Laser Lift-Off

4 Spontaneous and Piezoelectric Polarization in Nitride Heterostructures

5 AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

6 Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors

7 Electron Transport in Wide-Bandgap Semiconductors and Heterostructures

8 GaN Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor

9 Piezoelectric Effect in Group-III Nitride-Based Heterostructures and Quantum Wells

10 AlGaInN MQW Laser Diodes

11 Blue Vertical Cavity Surface Emitting Lasers and InGaN Quantum Dot Lasers

12 III-Nitride-Based UV Photodetectors

13 III-Nitride Ultraviolet Photodetectors

14 AlGaN UV Photodetectors

24. Index

دیگران دریافت کرده‌اند

ترکیبات نیمه‌رسانای III-V ۲۰۱۴
Semiconducting III–V Compounds 2014

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه

بازگشت کامل وجه

در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.

دانلود پرسرعت

دانلود فایل کتاب با سرعت بالا

ارسال فایل به ایمیل

دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.

پشتیبانی ۲۴ ساعته

با چت آنلاین و پیام‌رسان ها پاسخگو هستیم.

ضمانت کیفیت کتاب

کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.