راهنمای رشد بلور: لایه‌های نازک و لایه‌نشانی همسان ۲۰۱۵
Handbook of Crystal Growth: Thin Films and Epitaxy 2015

**جلد IIIA: کتاب راهنمای تکنیک‌های پایه رشد بلور، ویرایش دوم، جلد IIIA (تکنیک‌های پایه)**، ویراسته توسط متخصص مهندسی شیمی و زیستی، توماس اف. کوچ، علم و فناوری زیربنایی مرتبط با رشد لایه‌نشانی را ارائه می‌دهد و همچنین بسیاری از حوزه‌های اصلی و در حال شکوفایی برای رشد لایه‌نشانی را برجسته می‌کند. جلد IIIA بر تکنیک‌های اصلی رشدی تمرکز دارد که هم در تحقیقات علمی فرآیندهای رشد بلور و هم در توسعه تجاری ساختارهای لایه‌نشانی پیشرفته استفاده می‌شوند. تکنیک‌های مبتنی بر رسوب‌گذاری خلاء، لایه‌نشانی فاز بخار و لایه‌نشانی فاز مایع و جامد به همراه تکنیک‌های جدید برای توسعه ساختارهای نانو و میکرو سه‌بعدی ارائه شده‌اند.

**جلد IIIB: کتاب راهنمای مواد، فرآیندها و فناوری رشد بلور، ویرایش دوم، جلد IIIB (مواد، فرآیندها و فناوری)**، ویراسته توسط متخصص مهندسی شیمی و زیستی، توماس اف. کوچ، هم تکنیک‌های خاص برای رشد لایه‌نشانی و هم مجموعه‌ای از فرآیندهای رشد ویژه مواد را شرح می‌دهد. این جلد با ارائه تغییراتی در فرآیند رشد لایه‌نشانی آغاز می‌شود که در آن از فرآیندهای جنبشی برای توسعه انواع جدیدی از مواد در دماهای پایین استفاده می‌شود. مشخصه‌یابی‌های نوری و فیزیکی لایه‌های لایه‌نشانی هم برای مشخصه‌یابی درجا و هم خارج ازجا مواد لایه‌نشانی مورد بحث قرار می‌گیرند. مابقی جلد هم فرآیندهای رشد لایه‌نشانی مرتبط با مواد کلیدی فناوری و هم ساختارهای منحصربه‌فردی مانند مواد تک لایه و دوبعدی را ارائه می‌دهد.

جلد IIIA: تکنیک‌های پایه

* مقدمه‌ای بر فرآیندهای اصلی رشد لایه‌نشانی و مفاهیم علمی زیربنایی مورد استفاده برای درک و توسعه فرآیندهای جدید ارائه می‌دهد.
* تکنیک‌ها و فناوری‌های جدیدی برای توسعه ساختارهای سه‌بعدی مانند نقاط کوانتومی، نانوسیم‌ها، میله‌ها و رشد الگو دار ارائه می‌کند.
* مفاهیم اساسی ترمودینامیک، انتقال و طیف گسترده‌ای از فرآیندهای جنبشی را معرفی و به کار می‌گیرد که متن سطح اتمی فرآیند رشد را تشکیل می‌دهند.

جلد IIIB: مواد، فرآیندها و فناوری

* رسوب‌گذاری لایه‌نشانی در سطح اتمی و سایر تکنیک‌های رشد در دمای پایین را شرح می‌دهد.
* هم توسعه جریان‌های حرارتی و نامتجانس شبکه و هم تکنیک‌های مورد استفاده برای مشخصه‌یابی خواص ساختاری این مواد را ارائه می‌کند.
* بحث مفصلی در مورد تکنیک‌های رشد لایه‌نشانی مرتبط با مواد مبتنی بر سیلیکون، نیمه‌رساناهای ترکیبی، نیتریدهای نیمه‌رسانا و مواد دیرگداز ارائه می‌کند.

Volume IIIA Basic Techniques Handbook of Crystal Growth, 2nd Edition Volume IIIA (Basic Techniques), edited by chemical and biological engineering expert Thomas F. Kuech, presents the underpinning science and technology associated with epitaxial growth as well as highlighting many of the chief and burgeoning areas for epitaxial growth. Volume IIIA focuses on major growth techniques which are used both in the scientific investigation of crystal growth processes and commercial development of advanced epitaxial structures. Techniques based on vacuum deposition, vapor phase epitaxy, and liquid and solid phase epitaxy are presented along with new techniques for the development of three-dimensional nano-and micro-structures.

Volume IIIB Materials, Processes, and Technology Handbook of Crystal Growth, 2nd Edition Volume IIIB (Materials, Processes, and Technology), edited by chemical and biological engineering expert Thomas F. Kuech, describes both specific techniques for epitaxial growth as well as an array of materials-specific growth processes. The volume begins by presenting variations on epitaxial growth process where the kinetic processes are used to develop new types of materials at low temperatures. Optical and physical characterizations of epitaxial films are discussed for both in situ and exit to characterization of epitaxial materials. The remainder of the volume presents both the epitaxial growth processes associated with key technology materials as well as unique structures such as monolayer and two dimensional materials.

Volume IIIA Basic Techniques

• Provides an introduction to the chief epitaxial growth processes and the underpinning scientific concepts used to understand and develop new processes.
• Presents new techniques and technologies for the development of three-dimensional structures such as quantum dots, nano-wires, rods and patterned growth
• Introduces and utilizes basic concepts of thermodynamics, transport, and a wide cross-section of kinetic processes which form the atomic level text of growth process

Volume IIIB Materials, Processes, and Technology

• Describes atomic level epitaxial deposition and other low temperature growth techniques
• Presents both the development of thermal and lattice mismatched streams as the techniques used to characterize the structural properties of these materials
• Presents in-depth discussion of the epitaxial growth techniques associated with silicone silicone-based materials, compound semiconductors, semiconducting nitrides, and refractory materials