ترانزیستورهای اثر میدانی، یک بررسی جامع: از مفاهیم پایه تا فناوریهای نوین ۲۰۱۶
Field Effect Transistors, A Comprehensive Overview: From Basic Concepts to Novel Technologies 2016
دانلود کتاب ترانزیستورهای اثر میدانی، یک بررسی جامع: از مفاهیم پایه تا فناوریهای نوین ۲۰۱۶ (Field Effect Transistors, A Comprehensive Overview: From Basic Concepts to Novel Technologies 2016) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف)
| نویسنده |
Pouya Valizadeh |
|---|
ناشر:
John Wiley & Sons
۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید
| سال انتشار |
2016 |
|---|---|
| زبان |
English |
| تعداد صفحهها |
480 |
| نوع فایل |
|
| حجم |
23.1MB |
🏷️ 200,000 تومان قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.129,000 تومانقیمت فعلی: 129,000 تومان.
🏷️
378,000 تومان
قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود.
298,000 تومان
قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.
📥 دانلود نسخهی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمهی فارسی با هوش مصنوعی
🔗 مشاهده جزئیات
دانلود مستقیم PDF
ارسال فایل به ایمیل
پشتیبانی ۲۴ ساعته
توضیحات
معرفی کتاب ترانزیستورهای اثر میدانی، یک بررسی جامع: از مفاهیم پایه تا فناوریهای نوین ۲۰۱۶
**این کتاب به بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی نیمهرسانای اکسید فلزی (MOSFET) مدرن و روندهای آتی دستگاههای ترانزیستوری میپردازد.**
این کتاب با بررسی اصول اساسی FETها و کاوش در آخرین پیشرفتهای فناوری در این زمینه، یک دید کلی از ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) ارائه میدهد. این کتاب طیف گستردهای از موضوعات مرتبط با فیزیک دستگاههای نیمهرسانا، فیزیک ترانزیستورها و مفاهیم پیشرفته ترانزیستور را پوشش داده و به هم مرتبط میکند. این کتاب شامل شش فصل است. فصل 1 به بحث در مورد مواد الکترونیکی و بار میپردازد. فصل 2 پیوندها را بررسی میکند، تماسها را در حالت تعادل حرارتی، تماسهای فلز-نیمهرسانا و سیستمهای فلز-عایق-نیمهرسانا مورد بحث قرار میدهد. فصل 3 ترانزیستورهای اثر میدانی نیمهرسانای اکسید فلزی (MOSFET) مسطح سنتی را پوشش میدهد. فصل 4 به بررسی تغییر مقیاس، تغییرات تکنولوژیکی محرک و ابعاد جدید MOSFETها میپردازد. فصل 5 ترانزیستورهای اثر میدانی ناهمگون (FET) را تجزیه و تحلیل میکند و همچنین چالشها و مزایای هترواپیتکسی را مورد بحث قرار میدهد. در نهایت، فصل 6 به بررسی FETها در مقیاس مولکولی میپردازد.
* بحث در مورد دستگاههای ترانزیستوری معاصر را به فرآیندهای فیزیکی مرتبط میکند
* مطالب در دورههای کارشناسی و کارشناسی ارشد طراحی اجزای مدارهای مجتمع که توسط نویسنده تدریس شده، مورد آزمایش کلاسی قرار گرفته است.
* شامل مثالها و مسائل پایان فصل
*ترانزیستورهای اثر میدانی، مروری جامع: از مفاهیم پایه تا فناوریهای نوین* مرجعی است برای دانشجویان ارشد/کارشناسی ارشد و مهندسان حرفهای که به درک فیزیک عملکرد FETهای مدرن نیاز دارند.
**پویا ولیزاده** دانشیار گروه مهندسی برق و کامپیوتر در دانشگاه کنکوردیا در کبک، کانادا است. او مدارک کارشناسی و کارشناسی ارشد خود را با رتبه ممتاز از دانشگاه تهران و مدرک دکتری خود را از دانشگاه میشیگان (آن آربور) همگی در رشته مهندسی برق در سالهای 1997، 1999 و 2005 به ترتیب دریافت کرد. در طول دهه گذشته، دکتر ولیزاده بخشهای متعددی از پنج دوره مختلف را تدریس کرده است که موضوعاتی مانند فناوری فرآیند نیمهرسانا، مواد نیمهرسانا و خواص آنها، دستگاههای پیشرفته حالت جامد، طراحی ترانزیستور برای فناوری CMOS مدرن و ترانزیستورهای پرسرعت را پوشش میدهد.
فهرست کتاب:
۱. روی جلد
۲. صفحه عنوان
۳. فهرست مطالب
۴. مقدمه
۱ مواد الکترونیکی و انتقال بار
۲ پیوندها
۳ ماسفتهای مسطح سنتی
۴ از تغییرات تکنولوژیکی ناشی از مقیاسبندی تا ابعاد نوین در MISFETها
۵ FETهای ناهمساختاری
۶ FETها در مقیاسهای مولکولی
۱۱. فهرست نمایه
۱۲. توافقنامه مجوز کاربر نهایی
توضیحات(انگلیسی)
This book discusses modern-day Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) and future trends of transistor devices.
This book provides an overview of Field Effect Transistors (FETs) by discussing the basic principles of FETs and exploring the latest technological developments in the field. It covers and connects a wide spectrum of topics related to semiconductor device physics, physics of transistors, and advanced transistor concepts. This book contains six chapters. Chapter 1 discusses electronic materials and charge. Chapter 2 examines junctions, discusses contacts under thermal-equilibrium, metal-semiconductor contacts, and metal-insulator-semiconductor systems. Chapter 3 covers traditional planar Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs). Chapter 4 describes scaling-driving technological variations and novel dimensions of MOSFETs. Chapter 5 analyzes Heterojunction Field Effect Transistors (FETs) and also discusses the challenges and rewards of heteroepitaxy. Finally, Chapter 6 examines FETs at molecular scales.
- Links the discussion of contemporary transistor devices to physical processes
- Material has been class-tested in undergraduate and graduate courses on the design of integrated circuit components taught by the author
- Contains examples and end-of-chapter problems
Field Effect Transistors, A Comprehensive Overview: From Basic Concepts to Novel Technologies is a reference for senior undergraduate / graduate students and professional engineers needing insight into physics of operation of modern FETs.
Pouya Valizadeh is Associate Professor in the Department of Electrical and Computer Engineering at Concordia University in Quebec, Canada. He received B.S. and M.S. degrees with honors from the University of Tehran and Ph.D. degree from The University of Michigan (Ann Arbor) all in Electrical Engineering in 1997, 1999, and 2005, respectively. Over the past decade, Dr. Valizadeh has taught numerous sections of five different courses covering topics such as semiconductor process technology, semiconductor materials and their properties, advanced solid state devices, transistor design for modern CMOS technology, and high speed transistors.
Table of Contents
1. COVER
2. TITLE PAGE
3. TABLE OF CONTENTS
4. INTRODUCTION
1 ELECTRONIC MATERIALS AND CHARGE TRANSPORT
2 JUNCTIONS
3 TRADITIONAL PLANAR MOSFETs
4 FROM SCALING-DRIVEN TECHNOLOGICAL VARIATIONS TO NOVEL DIMENSIONS IN MISFETs
5 HETEROJUNCTION FETs
6 FETs AT MOLECULAR SCALES
11. INDEX
12. END USER LICENSE AGREEMENT
دیگران دریافت کردهاند
ترانزیستورهای اثر میدان گرافنی: ابزارهای پیشرفته بیوالکترونیکی برای کاربردهای حسگری ۲۰۲۳
Graphene Field-Effect Transistors: Advanced Bioelectronic Devices for Sensing Applications 2023
مهندسی و فناوری, الکترونیک, بیوتکنولوژی, بیوتکنولوژی در پزشکی, علوم فیزیکی, شیمی, علم مواد, مدارها, مهندسی مکانیک, مهندسی مواد الکترونیکی
🏷️ 200,000 تومان قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.129,000 تومانقیمت فعلی: 129,000 تومان.
مهندسی فصل مشترک در ترانزیستورهای اثر میدان آلی ۲۰۲۳
Interface Engineering in Organic Field-Effect Transistors 2023
مهندسی و فناوری, الکترونیک, علوم فیزیکی, شیمی, شیمی فیزیک و شیمی نظری, علم مواد, مهندسی مکانیک, نیمهرساناها
🏷️ 200,000 تومان قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.129,000 تومانقیمت فعلی: 129,000 تومان.
ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی: طراحی، مدلسازی و کاربردها ۲۰۲۳
Tunneling Field Effect Transistors: Design, Modeling and Applications 2023
🏷️ 200,000 تومان قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.129,000 تومانقیمت فعلی: 129,000 تومان.
ترانزیستورهای اثر میدانی بدون پیوند: طراحی، مدلسازی و شبیهسازی ۲۰۱۹
Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and Simulation 2019
🏷️ 200,000 تومان قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.129,000 تومانقیمت فعلی: 129,000 تومان.
ترانزیستورهای اثر میدانی آلی ۲۰۱۸
Organic Field-Effect Transistors 2018
🏷️ 200,000 تومان قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.129,000 تومانقیمت فعلی: 129,000 تومان.
ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET): مدلسازی و شبیهسازی ۲۰۱۶
Tunnel Field-effect Transistors (TFET): Modelling and Simulation 2016
🏷️ 200,000 تومان قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.129,000 تومانقیمت فعلی: 129,000 تومان.
✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه
بازگشت کامل وجه
در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.
دانلود پرسرعت
دانلود فایل کتاب با سرعت بالا
ارسال فایل به ایمیل
دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.
پشتیبانی ۲۴ ساعته
با چت آنلاین و پیامرسان ها پاسخگو هستیم.
ضمانت کیفیت کتاب
کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.
