ناخالصی ها و نقص ها در نیمه رساناها ۲۰۱۸
Dopants and Defects in Semiconductors 2018

دانلود کتاب ناخالصی ها و نقص ها در نیمه رساناها ۲۰۱۸ (Dopants and Defects in Semiconductors 2018) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف)

نویسنده

Matthew D. McCluskey, Eugene E. Haller

ناشر: CRC Press
voucher (1)

۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید

سال انتشار

2018

زبان

English

تعداد صفحه‌ها

350

نوع فایل

pdf

حجم

43 Mb

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

🏷️ قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود. قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.

📥 دانلود نسخه‌ی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمه‌ی فارسی با هوش مصنوعی 🔗 مشاهده جزئیات

دانلود مستقیم PDF

ارسال فایل به ایمیل

پشتیبانی ۲۴ ساعته

توضیحات

معرفی کتاب ناخالصی ها و نقص ها در نیمه رساناها ۲۰۱۸

ستایش از چاپ اول

“این کتاب فراتر از کتاب درسی معمول می رود، زیرا مثال های خاص تری از فیزیک نقص دنیای واقعی را ارائه می دهد … یک مرور کلی مقدماتی گسترده و خواندن آسان در این زمینه”
?Materials Today

“… به خوبی نوشته شده، با توضیحات واضح و روشن …”
?Chemistry World

این نسخه اصلاح شده جامع ترین و به روزترین پوشش از دانش بنیادی نیمه رساناها را ارائه می دهد، از جمله فصل جدیدی که تکنولوژی و کاربردهای نوین نیمه رساناها را گسترش می دهد. علاوه بر گنجاندن مشکلات و مثال های حل شده در فصل های اضافی، جزئیات بیشتری در مورد روشنایی حالت جامد (LEDها و دیودهای لیزری) ارائه می دهد. نویسندگان به یک دیدگاه واحد از ناخالصی ها و نقص ها دست یافته اند و پایه محکمی برای روش های تجربی و نظریه نقص ها در نیمه رساناها ارائه می دهند.

متیو دی. مک کلاسکی استاد گروه فیزیک و نجوم و برنامه علوم مواد در دانشگاه ایالتی واشنگتن (WSU)، پولمن، واشنگتن است. وی دکترای فیزیک خود را از دانشگاه کالیفرنیا (UC)، برکلی دریافت کرد.

یوجین ای. هالر استاد بازنشسته دانشگاه کالیفرنیا، برکلی و عضو آکادمی ملی مهندسی است. وی دکترای خود را در فیزیک حالت جامد و کاربردی از دانشگاه بازل، سوئیس دریافت کرد.


فهرست کتاب:

۱. جلد

۲. نیم‌عنوان

۳. صفحه عنوان

۴. صفحه حق تکثیر

۵. تقدیم

۶. فهرست مطالب

۷. پیشگفتار چاپ دوم

۸. پیشگفتار چاپ اول

۹. نویسندگان

۱۰. اختصارات

۱۱. فهرست عناصر بر اساس نماد

۱۲. فصل ۱: مبانی نیمه‌رساناها

۱۳. فصل ۲: طبقه‌بندی عیوب

۱۴. فصل ۳: فصل مشترک‌ها و ادوات

۱۵. فصل ۴: رشد بلور و آلایش

۱۶. فصل ۵: خواص الکترونیکی

۱۷. فصل ۶: خواص ارتعاشی

۱۸. فصل ۷: خواص نوری

۱۹. فصل ۸: خواص حرارتی

۲۰. فصل ۹: اندازه‌گیری‌های الکتریکی

۲۱. فصل ۱۰: طیف‌سنجی نوری

۲۲. فصل ۱۱: روش‌های پرتو-ذره‌ای

۲۳. فصل ۱۲: میکروسکوپ و شناسایی ساختاری

۲۴. ضمائم

۲۵. ثابت‌های فیزیکی

۲۶. نمایه

توضیحات(انگلیسی)

Praise for the First Edition

"The book goes beyond the usual textbook in that it provides more specific examples of real-world defect physics … an easy reading, broad introductory overview of the field"
? Materials Today

"… well written, with clear, lucid explanations …"
?Chemistry World

This revised edition provides the most complete, up-to-date coverage of the fundamental knowledge of semiconductors, including a new chapter that expands on the latest technology and applications of semiconductors. In addition to inclusion of additional chapter problems and worked examples, it provides more detail on solid-state lighting (LEDs and laser diodes). The authors have achieved a unified overview of dopants and defects, offering a solid foundation for experimental methods and the theory of defects in semiconductors.

Matthew D. McCluskey is a professor in the Department of Physics and Astronomy and Materials Science Program at Washington State University (WSU), Pullman, Washington. He received a Physics Ph.D. from the University of California (UC), Berkeley.

Eugene E. Haller is a professor emeritus at the University of California, Berkeley, and a member of the National Academy of Engineering. He received a Ph.D. in Solid State and Applied Physics from the University of Basel, Switzerland.


Table of Contents

1. Cover

2. Half Title

3. Title Page

4. Copyright Page

5. Dedication

6. Contents

7. Preface to the Second Edition

8. Preface to the First Edition

9. Authors

10. Abbreviations

11. List of Elements by Symbol

12. Chapter 1: Semiconductor Basics

13. Chapter 2: Defect Classifications

14. Chapter 3: Interfaces and Devices

15. Chapter 4: Crystal Growth and Doping

16. Chapter 5: Electronic Properties

17. Chapter 6: Vibrational Properties

18. Chapter 7: Optical Properties

19. Chapter 8: Thermal Properties

20. Chapter 9: Electrical Measurements

21. Chapter 10: Optical Spectroscopy

22. Chapter 11: Particle-Beam Methods

23. Chapter 12: Microscopy and Structural Characterization

24. Appendices

25. Physical Constants

26. Index

✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه

بازگشت کامل وجه

در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.

دانلود پرسرعت

دانلود فایل کتاب با سرعت بالا

ارسال فایل به ایمیل

دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.

پشتیبانی ۲۴ ساعته

با چت آنلاین و پیام‌رسان ها پاسخگو هستیم.

ضمانت کیفیت کتاب

کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.