سیلیکون پیشرفته و مواد و ادوات مبتنی بر آلیاژهای سیلیکونی نیمه‌رسانا ۲۰۲۱
Advanced Silicon & Semiconducting Silicon-Alloy Based Materials & Devices 2021

کتاب «مواد و ادوات پیشرفته‌ی مبتنی بر سیلیکون و آلیاژهای نیمه‌رسانای سیلیکون»، از نخستین آثار در زمینه‌ی فناوری‌های پیشرفته‌ی مبتنی بر سیلیکون است و مسیرهای مهمی را برای تحقیقات در حوزه‌ی سیلیکون، ادوات نیمه‌رسانای مبتنی بر آلیاژهای آن و توسعه‌ی کاربردهای تجاری آن ارائه می‌دهد.

بخش نخست به سیلیکون تک‌بلوری/تک‌کریستالی می‌پردازد و بر تاثیرات دوپینگ سنگین، ساختار و خواص الکترونیکی عیوب و اثر آنها بر ادوات، MBE (برآرایی باریکه‌ی مولکولی) سیلیکون، آلیاژهای سیلیکون و فلزات، فنون CVD (رسوب‌نشانی شیمیایی از فاز بخار) برای سیلیکون و ژرمانیوم سیلیکون، خواص مواد لایه‌های کرنش‌دار ژرمانیوم سیلیکون، کاربردهای ترانزیستورهای دوقطبی ناهم‌پیوندی ژرمانیوم سیلیکون، FETها (ترانزیستورهای اثر میدانی)، آشکارسازهای IR (فروسرخ) و ادوات تونل‌زنی تشدید در سیلیکون، ژرمانیوم سیلیکون و سیلیکون دوپ‌شده، و همچنین خواص شگفت‌انگیز کاربید سیلیکون بلوری و کاربردهای آن تمرکز دارد.

بخش دوم به بررسی سیلیکون پلی‌کریستالی می‌پردازد. این بخش، زیرلایه‌های پلی‌سیلیکونی با دانه‌های بزرگ برای سلول‌های خورشیدی، خواص، تحلیل و مدل‌سازی TFTهای (ترانزیستورهای لایه‌ی نازک) پلی‌سیلیکونی، فناوری TFTهای پلی‌سیلیکونی در نمایشگرهای LCD (کریستال مایع) و کاربرد سیلیکون پلی‌کریستالی و آلیاژهای آن در کاربردهای VLSI (مدارهای مجتمع با مقیاس بسیار بزرگ) را مورد بررسی قرار می‌دهد.

این کتاب، با مشارکت نویسندگانی از مراکز تحقیقاتی برجسته‌ی دانشگاهی و صنعتی، پوشش گسترده‌ای از فنون ساخت، خواص مواد و کاربردهای ادوات را ارائه می‌دهد.

One of the first books to cover advanced silicon-based technologies, Advanced Silicon and Semiconducting Silicon Alloy-Based Materials and Devices presents important directions for research into silicon, its alloy-based semiconducting devices, and its development in commercial applications. The first section deals with single/mono crystalline silicon, focusing on the effects of heavy doping; the structure and electronic properties of defects and their impact on devices; the MBE of silicon, silicon alloys, and metals; CVD techniques for silicon and silicon germanium; the material properties of silicon germanium strained layers; silicon germanium heterojunction bipolar applications; FETs, IR detectors, and resonant tunneling devices in silicon, silicon germanium, and d-doped silicon; and the fascinating properties of crystalline silicon carbide and its applications. The second section explores polycrystalline silicon. It examines large grain polysilicon substrates for solar cells; the properties, analysis, and modeling of polysilicon TFTs; the technology of polysilicon TFTs in LCD displays; and the use of polycrystalline silicon and its alloys in VLSI applications. With contributors from leading academic and industrial research centers, this book provides wide coverage of fabrication techniques, material properties, and device applications.