هفتاد و پنجمین سالگرد ترانزیستور ۲۰۲۳
75th Anniversary of the Transistor 2023
دانلود کتاب هفتاد و پنجمین سالگرد ترانزیستور ۲۰۲۳ (75th Anniversary of the Transistor 2023) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف)
| نویسنده |
Arokia Nathan, Samar K. Saha, Ravi M. Todi |
|---|
ناشر:
John Wiley & Sons
۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید
| سال انتشار |
2023 |
|---|---|
| زبان |
English |
| تعداد صفحهها |
464 |
| نوع فایل |
|
| حجم |
54.0MB |
🏷️ 200,000 تومان قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.129,000 تومانقیمت فعلی: 129,000 تومان.
🏷️
378,000 تومان
قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود.
298,000 تومان
قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.
📥 دانلود نسخهی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمهی فارسی با هوش مصنوعی
🔗 مشاهده جزئیات
دانلود مستقیم PDF
ارسال فایل به ایمیل
پشتیبانی ۲۴ ساعته
توضیحات
معرفی کتاب هفتاد و پنجمین سالگرد ترانزیستور ۲۰۲۳
هفتاد و پنجمین سالگرد اختراع ترانزیستور
یادنامهی هفتاد و پنجمین سالگرد، بازتابی از سیر تحول ترانزیستور از آغاز تا پیشرفتهترین فناوریهای روز
هفتاد و پنجمین سالگرد اختراع ترانزیستور، یادنامهای برای بزرگداشت اختراع ترانزیستور است. این اثر به ابتکار انجمن ابزارهای الکترونی IEEE (EDS) تدوین شده تا پوششی جامع و در عین حال مختصر از دیدگاههای تاریخی زیربنایی اختراع ترانزیستور و تکامل بعدی آن به مجموعهای از فناوریها و کاربردهای یکپارچهسازی و تولید ارائه دهد.
این کتاب، بازتابی از سیر تحول ترانزیستور از بدو پیدایش تا پیشرفتهترین فناوریهای روز است که همچنان امکان مقیاسپذیری مدارهای مجتمع بسیار بزرگ با عملکرد و سرعت بالاتر را فراهم میآورد. مراحل این تکامل به ترتیب زمانی و برای انعکاس تحولات تاریخی پوشش داده شدهاند.
روایات و تجربیات توسط تعدادی منتخب از رهبران برجسته صنعت و دانشگاه و همچنین پیشکسوتان بازنشسته صنعت نیمههادی ارائه شده است. نکات برجسته هفتاد و پنجمین سالگرد اختراع ترانزیستور عبارتند از:
- دیدگاههای تاریخی از وضعیت فناوری پیشرفته در دنیای قبل از ترانزیستور حالت جامد (پیش از 1947) که منجر به اختراع ترانزیستور شد.
- اختراع ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT) و فرمولبندیهای تحلیلی توسط شاکلی (1948) و تأثیر آنها بر صنعت نیمههادی.
- یکپارچهسازی در مقیاس بزرگ، قانون مور (1965) و مقیاسبندی ترانزیستور (1974)، و MOS/LSI، از جمله حافظههای فلش—SRAM، DRAM (1963)، و حافظه فلش NAND توشیبا (1989).
- حسگرهای تصویر (1986)، از جمله دستگاههای بارجفتشده و کاربردهای مرتبط حسگرهای میکرو.
هفتاد و پنجمین سالگرد اختراع ترانزیستور با پوششی جامع، مختصر و در عین حال قابل دسترس از یکی از ارکان اصلی فناوری مدرن، مرجعی ضروری برای مهندسان، محققان و دانشجویان مقطع کارشناسی است که به دنبال دیدگاه تاریخی از زبان رهبران این حوزه هستند.
فهرست کتاب:
۱. روی جلد
۲. فهرست مطالب
۳. صفحه مجموعه
۴. صفحه عنوان
۵. صفحه حق چاپ
۶. درباره ویراستاران
۷. درباره نویسندگان
۸. پیشگفتار
۹. فصل ۱: اولین قطعه الکترونی کوانتومی
۱۰. فصل ۲: انجمن قطعات الکترونی IEEE
۱۱. فصل ۳: آیا سر جی. سی. بوس وجود نیمهرساناهای نوع p و n را در آزمایشهای آشکارساز/همچسب خود پیشبینی کرده بود؟
۱۲. فصل ۴: ترانزیستور تماسی نقطهای
۱۳. فصل ۵: در مورد معادله دیود شاکلی و مدلهای تحلیلی برای ترانزیستورهای دوقطبی مدرن
۱۴. فصل ۶: ترانزیستورهای اثر میدان بدون پیوند
۱۵. فصل ۷: اولین طراحی MOSFET توسط جی. لیلینفلد و مسیر طولانی آن تا پیادهسازی
۱۶. فصل ۸: اختراع فرآیند گیت سیلیکونی خود-همراستا
۱۷. فصل ۹: کاربرد کاشت یونی در ساخت قطعات
۱۸. فصل ۱۰: تکامل MOSFET
۱۹. فصل ۱۱: ترانزیستور SOI
۲۰. فصل ۱۲: FinFET
۲۱. فصل ۱۳: دیدگاه تاریخی توسعه FinFET و معماری فرآیند
۲۲. فصل ۱۴: منشا ترانزیستور تونلی FET
۲۳. فصل ۱۵: حافظه گیت شناور
۲۴. فصل ۱۶: توسعه حافظه فلش ETOX NOR
۲۵. فصل ۱۷: تاریخچه تکامل حافظه MOS در DRAM و SRAM
۲۶. فصل ۱۸: ترانزیستورهای دوقطبی ناهمپیوندی سیلیکون-ژرمانیوم
۲۷. فصل ۱۹: مسیر مخرب ۲۵ ساله ترانزیستورهای دوقطبی ناهمپیوندی دوگانه InP/GaAsSb
۲۸. فصل ۲۰: ترانزیستور با تحرکپذیری بالای الکترون
۲۹. فصل ۲۱: ترانزیستور لایه نازک و ظهور الکترونیک انعطافپذیر و بزرگسطح و فراتر از آن
۳۰. فصل ۲۲: اختراعات تصویربرداری
۳۱. فصل ۲۳: اختراع و توسعه حسگرهای تصویر CMOS
۳۲. فصل ۲۴: از ترانزیستورها تا حسگرهای میکرو
۳۳. فصل ۲۵: ایجاد ترانزیستور دوقطبی با گیت عایقشده
۳۴. فصل ۲۶: تاریخچه نویز در ترانزیستورهای اثر میدان نیمهرسانای اکسید فلز
۳۵. فصل ۲۷: یک ترانزیستور به طور معجزهآسایی قابل اعتماد
۳۶. فصل ۲۸: طراحی به کمک رایانه فناوری
۳۷. فصل ۲۹: مدارهای مجتمع اولیه
۳۸. فصل ۳۰: مسیری به SoC سیگنال مختلط تک-تراشهای برای سیستمهای ویدئویی دیجیتال
۳۹. فصل ۳۱: دیدگاه تاریخی حافظه غیر فرار و الگوهای محاسباتی نوظهور
۴۰. فصل ۳۲: CMOS امکانبخش محاسبات کوانتومی
۴۱. فصل ۳۳: مواد و سطوح مشترک
۴۲. فصل ۳۴: جادوی تولید MOSFET
۴۳. فصل ۳۵: نوآوری در مواد
۴۴. فصل ۳۶: ژرمانیوم
۴۵. نمایه
۴۶. توافقنامه مجوز کاربر نهایی
توضیحات(انگلیسی)
75th Anniversary of the Transistor
75th anniversary commemorative volume reflecting the transistor’s development since inception to current state of the art
75th Anniversary of the Transistor is a commemorative anniversary volume to celebrate the invention of the transistor. The anniversary volume was conceived by the IEEE Electron Devices Society (EDS) to provide comprehensive yet compact coverage of the historical perspectives underlying the invention of the transistor and its subsequent evolution into a multitude of integration and manufacturing technologies and applications.
The book reflects the transistor’s development since inception to the current state of the art that continues to enable scaling to very large-scale integrated circuits of higher functionality and speed. The stages in this evolution covered are in chronological order to reflect historical developments.
Narratives and experiences are provided by a select number of venerated industry and academic leaders, and retired veterans, of the semiconductor industry. 75th Anniversary of the Transistor highlights:
- Historical perspectives of the state-of-the-art pre-solid-state-transistor world (pre-1947) leading to the invention of the transistor
- Invention of the bipolar junction transistor (BJT) and analytical formulations by Shockley (1948) and their impact on the semiconductor industry
- Large scale integration, Moore’s Law (1965) and transistor scaling (1974), and MOS/LSI, including flash memories — SRAMs, DRAMs (1963), and the Toshiba NAND flash memory (1989)
- Image sensors (1986), including charge-coupled devices, and related microsensor applications
With comprehensive yet succinct and accessible coverage of one of the cornerstones of modern technology, 75th Anniversary of the Transistor is an essential reference for engineers, researchers, and undergraduate students looking for historical perspective from leaders in the field.
Table of Contents
1. Cover
2. Table of Contents
3. Series Page
4. Title Page
5. Copyright Page
6. About the Editors
7. About the Authors
8. Preface
9. Chapter 1: The First Quantum Electron Device
10. Chapter 2: IEEE Electron Devices Society
11. Chapter 3: Did Sir J.C. Bose Anticipate the Existence of p‐ and n‐Type Semiconductors in His Coherer/Detector Experiments?
12. Chapter 4: The Point‐Contact Transistor
13. Chapter 5: On the Shockley Diode Equation and Analytic Models for Modern Bipolar Transistors
14. Chapter 6: Junction‐Less Field Effect Transistors
15. Chapter 7: The First MOSFET Design by J. Lilienfeld and its Long Journey to Implementation
16. Chapter 8: The Invention of the Self‐Aligned Silicon Gate Process
17. Chapter 9: The Application of Ion Implantation to Device Fabrication
18. Chapter 10: Evolution of the MOSFET
19. Chapter 11: The SOI Transistor
20. Chapter 12: FinFET
21. Chapter 13: Historical Perspective of the Development of the FinFET and Process Architecture
22. Chapter 14: The Origin of the Tunnel FET
23. Chapter 15: Floating‐Gate Memory
24. Chapter 16: Development of ETOX NOR Flash Memory
25. Chapter 17: History of MOS Memory Evolution on DRAM and SRAM
26. Chapter 18: Silicon‐Germanium Heterojunction Bipolar Transistors
27. Chapter 19: The 25‐Year Disruptive Path of InP/GaAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors
28. Chapter 20: The High Electron Mobility Transistor
29. Chapter 21: The Thin Film Transistor and Emergence of Large Area, Flexible Electronics and Beyond
30. Chapter 22: Imaging Inventions
31. Chapter 23: The Invention and Development of CMOS Image Sensors
32. Chapter 24: From Transistors to Microsensors
33. Chapter 25: Creation of the Insulated Gate Bipolar Transistor
34. Chapter 26: The History of Noise in Metal‐Oxide‐Semiconductor Field‐Effect Transistors
35. Chapter 27: A Miraculously Reliable Transistor
36. Chapter 28: Technology Computer‐Aided Design
37. Chapter 29: Early Integrated Circuits
38. Chapter 30: A Path to the One‐Chip Mixed‐Signal SoC for Digital Video Systems
39. Chapter 31: Historical Perspective of the Nonvolatile Memory and Emerging Computing Paradigms
40. Chapter 32: CMOS Enabling Quantum Computing
41. Chapter 33: Materials and Interfaces
42. Chapter 34: The Magic of MOSFET Manufacturing
43. Chapter 35: Materials Innovation
44. Chapter 36: Germanium
45. Index
46. End User License Agreement
دیگران دریافت کردهاند
الکترومکانوبیولوژی غضروف و آرتروز: ادای احترام به آلن گروودینسکی در 75 سالگی خود ۲۰۲۳
Electromechanobiology of Cartilage and Osteoarthritis: A Tribute to Alan Grodzinsky on his 75th Birthday 2023
🏷️ 200,000 تومان قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.129,000 تومانقیمت فعلی: 129,000 تومان.
✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه
بازگشت کامل وجه
در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.
دانلود پرسرعت
دانلود فایل کتاب با سرعت بالا
ارسال فایل به ایمیل
دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.
پشتیبانی ۲۴ ساعته
با چت آنلاین و پیامرسان ها پاسخگو هستیم.
ضمانت کیفیت کتاب
کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.
