نانوالکترونیک ۲۰۱۸
Nanoelectronics 2018

دانلود کتاب نانوالکترونیک ۲۰۱۸ (Nanoelectronics 2018) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف) و ترجمه فارسی

نویسنده

Vijay Kumar Arora

ناشر: CRC Press
voucher-1

۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید

سال انتشار

2018

زبان

English

تعداد صفحه‌ها

430

نوع فایل

pdf

حجم

13.7 MB

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

🏷️ قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود. قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.

📥 دانلود نسخه‌ی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمه‌ی فارسی با هوش مصنوعی 🔗 مشاهده جزئیات

پیش‌خرید با تحویل فوری(⚡️) | فایل کتاب حداکثر تا ۳۰ دقیقه(🕒) پس از ثبت سفارش آماده دانلود خواهد بود.

دانلود مستقیم PDF

ارسال فایل به ایمیل

پشتیبانی ۲۴ ساعته

توضیحات

معرفی کتاب نانوالکترونیک ۲۰۱۸

نورافکنی بر ساختار نواری ادوات کربنی

تغییر رویکرد به کربن، زیست‌شناسی را به عنوان فرآیندی از سنتز در مهندسیِ جریان اصلی مطرح می‌کند. سیلیکون به سرعت با الکترونیک مبتنی بر کربن جایگزین می‌شود، ابعاد ادوات تا مقیاس نانومتر کاهش می‌یابد و کاربردهای بالقوه بیشتری در حال بررسی است. در حالی که به طور سنتی، مهندسان از طریق فیزیک، شیمی و ریاضیات آموزش می‌بینند، کتاب “نانوالکترونیک: مهندسی کوانتومی نانوآنسامبل‌های کم‌بعدی” زیست‌شناسی را به عنوان یک علم پایه ضروری برای کاوش مهندسان معرفی می‌کند.

وحدت‌بخش علم و مهندسی: از فیزیک کوانتوم تا مهندسی نانو

این متن پژوهش‌محور، با تکیه فراوان بر مقالات منتشر شده توسط نویسنده، یک بررسی کامل از انتقال نانوالکترونیکی ارائه می‌دهد که از امواج کوانتومی شروع شده و به رسانش اهمی و بالستیک، و شرایط غیرتعادلی شدید محدود شده با اشباع می‌رسد. علاوه بر این، یک پارادایم جدید با استفاده از تابع توزیع آرورا در شرایط غیرتعادلی (NEADF) را برجسته می‌کند و این تابع را به عنوان نقطه شروع (از نظریه نواری تا تعادل و آمار حامل‌های غیرتعادلیِ شدید) معرفی می‌کند. نویسنده بر طراحی و توسعه ادوات نانوالکترونیکی، از جمله ادوات مبتنی بر کربن، تمرکز می‌کند و دیدگاهی مناسب در مورد چشم انداز جهانی آینده ادوات نانوالکترونیک و ULSI در اختیار شما قرار می‌دهد.

این متن روشنگر، شامل ده فصل،:

  • پاسخ میدان الکتریکی سرعت رانش را به روابط جریان-ولتاژ تبدیل می‌کند که ناشی از وجود ولتاژ بحرانی و جریان اشباع ناشی از رانش یک‌سویه حامل‌ها است.
  • اثر این ابعاد کوچک شده را بر نانو-ماسفت (ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز) اعمال می‌کند.
  • کاربردهای تخصصی را در نظر می‌گیرد که می‌توان از طریق تعدادی از پروژه‌های پیشنهادی که همگی با کدهای MATLAB® امکان‌پذیر هستند، امتحان کرد.

“نانوالکترونیک: مهندسی کوانتومی نانوآنسامبل‌های کم‌بعدی”

حاوی آخرین تحقیقات در زمینه نانوالکترونیک است، مشکلات و سایر عواملی را که در طراحی و کاربرد نانولایه‌ها باید در نظر گرفته شوند، شناسایی می‌کند و در مورد روندهای آینده می‌اندیشد.

نسخه‌های چاپی این کتاب دسترسی به نسخه الکترونیکی را نیز شامل می‌شود.


فهرست کتاب:

۱. صفحه روی جلد

۲. صفحه پیش عنوان

۳. صفحه عنوان

۴. صفحه حق تکثیر

۵. صفحه تقدیم

۶. فهرست مطالب

۷. پیشگفتار

۱ مروری بر مهندسی نانو

۲ اتم‌ها، باندها و چاه‌های کوانتومی

۳ آمار حامل‌ها

۴ آمار و ترابرد حامل‌های غیرتعادلی

۵ ترابرد بار

۶ نانو-ماسفت و نانو-سیموس

۷ ترابرد نانوسیم

۸ ترابرد کوانتومی در ادوات کربنی

۹ ترابرد مغناطیسی و محصورشده کوانتومی

۱۰ ترابرد رانش-نفوذ و چند دره‌ای

۱۸. پیوست الف: ثابت‌های فیزیکی و مقیاس‌ها

۱۹. پیوست ب: پارامترهای سیلیکون

۲۰. پیوست پ: پارامترهای گالیم آرسنید

۲۱. پیوست ت: خواص نیمه‌رساناها

۲۲. پیوست ث: خواص فلزات

۲۳. پیوست ج: انتگرال فرمی-دیراک

۲۴. پیوست چ: جدولی از انتگرال‌های فرمی-دیراک

۲۵. پیوست ح: جدول تناوبی

۲۶. پیوست خ: ملاحظات کلی در مورد اجرای پروژه

۲۷. پیوست د: مقالات منتشر شده توسط نویسنده

۲۸. پیوست ذ: سخن پایانی

۲۹. نمایه

 

توضیحات(انگلیسی)

Brings the Band Structure of Carbon-Based Devices into the Limelight

A shift to carbon is positioning biology as a process of synthesis in mainstream engineering. Silicon is quickly being replaced with carbon-based electronics, devices are being reduced down to nanometer scale, and further potential applications are being considered. While traditionally, engineers are trained by way of physics, chemistry, and mathematics, Nanoelectronics: Quantum Engineering of Low-Dimensional Nanoensembles establishes biology as an essential basic science for engineers to explore.

Unifies Science and Engineering: from Quantum Physics to Nanoengineering

Drawing heavily on published papers by the author, this research-driven text offers a complete review of nanoelectronic transport starting from quantum waves, to ohmic and ballistic conduction, and saturation-limited extreme nonequilibrium conditions. In addition, it highlights a new paradigm using non-equilibrium Arora’s Distribution Function (NEADF) and establishes this function as the starting point (from band theory to equilibrium to extreme nonequilibrium carrier statistics). The author focuses on nano-electronic device design and development, including carbon-based devices, and provides you with a vantage point for the global outlook on the future of nanoelectronics devices and ULSI.

Encompassing ten chapters, this illuminating text:

  • Converts the electric-field response of drift velocity into current–voltage relationships that are driven by the presence of critical voltage and saturation current arising from the unidirectional drift of carriers
  • Applies the effect of these scaled-down dimensions to nano-MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor)
  • Considers specialized applications that can be tried through a number of suggested projects that are all feasible with MATLAB® codes

Nanoelectronics: Quantum Engineering of Low-Dimensional Nanoensembles

contains the latest research in nanoelectronics, identifies problems and other factors to consider when it comes to nanolayer design and application, and ponders future trends.

Print Versions of this book also include access to the ebook version.


Table of Contents

1. Cover Page

2. Halftitle Page

3. Title Page

4. Copyright Page

5. Dedication Page

6. Contents

7. Preface

1 Nanoengineering Overview

2 Atoms, Bands, and Quantum Wells

3 Carrier Statistics

4 Nonequilibrium Carrier Statistics and Transport

5 Charge Transport

6 Nano-MOSFET and Nano-CMOS

7 Nanowire Transport

8 Quantum Transport in Carbon-Based Devices

9 Magneto- and Quantum-Confined Transport

10 Drift-Diffusion and Multivalley Transport

18. Appendix A: Physical Constants and Scales

19. Appendix B: Silicon Parameters

20. Appendix C: Gallium Arsenide Parameters

21. Appendix D: Semiconductor Properties

22. Appendix E: Metal Properties

23. Appendix F: Fermi-Dirac Integral

24. Appendix G: Table of Fermi-Dirac Integrals

25. Appendix H: Periodic Table

26. Appendix I: General Comments on Project Execution

27. Appendix J: Published Papers by the Author

28. Appendix K: Final Word

29. Index

دیگران دریافت کرده‌اند

✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه

بازگشت کامل وجه

در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.

دانلود پرسرعت

دانلود فایل کتاب با سرعت بالا

ارسال فایل به ایمیل

دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.

پشتیبانی ۲۴ ساعته

با چت آنلاین و پیام‌رسان ها پاسخگو هستیم.

ضمانت کیفیت کتاب

کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.