طراحی سامانه‌های SRAM نانومقیاس جاسازی‌شده با بازده انرژی و قابلیت اطمینان بالا ۲۰۲۳
Energy Efficient and Reliable Embedded Nanoscale SRAM Design 2023

دانلود کتاب طراحی سامانه‌های SRAM نانومقیاس جاسازی‌شده با بازده انرژی و قابلیت اطمینان بالا ۲۰۲۳ (Energy Efficient and Reliable Embedded Nanoscale SRAM Design 2023) با لینک مستقیم و فرمت pdf (پی دی اف)

نویسنده

Bhupendra Singh Reniwal, Pooran Singh, Ambika Prasad Shah, Santosh Kumar Vishvakarma

ناشر: CRC Press
voucher (1)

۳۰ هزار تومان تخفیف با کد «OFF30» برای اولین خرید

سال انتشار

2023

زبان

English

تعداد صفحه‌ها

220

نوع فایل

epub

حجم

1.4MB

🏷️ قیمت اصلی: 200,000 تومان بود.قیمت فعلی: 129,000 تومان.

🏷️ قیمت اصلی: ۳۷۸٬۰۰۰ تومان بود. قیمت فعلی: ۲۹۸٬۰۰۰ تومان.

📥 دانلود نسخه‌ی اصلی کتاب به زبان انگلیسی(PDF)
🧠 به همراه ترجمه‌ی فارسی با هوش مصنوعی 🔗 مشاهده جزئیات

پیش‌خرید با تحویل فوری(⚡️) | فایل کتاب حداکثر تا ۳۰ دقیقه(🕒) پس از ثبت سفارش آماده دانلود خواهد بود.

دانلود مستقیم PDF

ارسال فایل به ایمیل

پشتیبانی ۲۴ ساعته

توضیحات

معرفی کتاب طراحی سامانه‌های SRAM نانومقیاس جاسازی‌شده با بازده انرژی و قابلیت اطمینان بالا ۲۰۲۳

این مرجع، طیف گسترده‌ای از طراحی حافظه‌های تعبیه‌شده‌ی مستحکم و مدارهای جانبی را پوشش می‌دهد. این کتاب، منبعی مفید برای دانشجویان سال‌های پایانی مقطع کارشناسی، دانشجویان تحصیلات تکمیلی و متخصصان در حوزه‌هایی نظیر مهندسی الکترونیک و مخابرات، مهندسی برق، مهندسی مکانیک و مهندسی هوافضا خواهد بود.

* روش‌های طراحی کم‌مصرف برای حافظه با دسترسی تصادفی ایستا (SRAM) را مورد بحث قرار می‌دهد.
* طراحی SRAM مقاوم در برابر تشعشع برای کاربردهای هوافضا را پوشش می‌دهد.
* بر مسائل گوناگون مربوط به قابلیت اطمینان که فناوری‌های زیرمیکرون با آن مواجه هستند تمرکز دارد.
* توپولوژی‌های حافظه پایدارتری را به نمایش می‌گذارد.

فناوری‌های نانومقیاس، چالش‌های مهمی را در طراحی SRAMهای کم‌مصرف و قابل‌اعتماد آشکار کرده‌اند. این مرجع، به بررسی تأثیر تغییرات فرآیند، نشتی، پیری، خطاهای نرم و مسائل مربوط به قابلیت اطمینان در حافظه‌های تعبیه‌شده و مدارهای جانبی می‌پردازد.

این متن، روشی منحصربه‌فرد را برای توضیح بیت‌سل SRAM، طراحی آرایه و تجزیه و تحلیل پارامترهای طراحی آن برای مواجهه با چالش‌های زیرنانومتر برای دستگاه‌های نیمه‌رسانای اکسید فلزی مکمل (CMOS) اتخاذ می‌کند. به‌طور جامع، روش‌های طراحی کم‌مصرف برای SRAM را پوشش می‌دهد، توپولوژی‌های حافظه پایدارتری را به نمایش می‌گذارد و طراحی SRAM مقاوم در برابر تشعشع برای کاربردهای هوافضا را ارائه می‌دهد. هر فصل شامل یک واژه‌نامه، نکات برجسته، بانک سؤال و مسائل است. این متن به عنوان منبعی مفید برای دانشجویان سال‌های پایانی مقطع کارشناسی، دانشجویان تحصیلات تکمیلی و متخصصان در حوزه‌هایی نظیر مهندسی الکترونیک و مخابرات، مهندسی برق، مهندسی مکانیک و مهندسی هوافضا خواهد بود. با بحث درباره‌ی مطالعات جامع مکانیسم‌های خرابی ناشی از تغییرپذیری در تقویت‌کننده‌های حسگر و موازنه توان، تأخیر و بازده خواندن، این مرجع، منبعی مفید برای دانشجویان سال‌های پایانی مقطع کارشناسی، دانشجویان تحصیلات تکمیلی و متخصصان در حوزه‌هایی نظیر مهندسی الکترونیک و مخابرات، مهندسی برق، مهندسی مکانیک و مهندسی هوافضا خواهد بود. این کتاب، توسعه‌ی SRAMهای مستحکم را پوشش می‌دهد که برای پردازنده‌های چند هسته‌ای کم‌مصرف برای گره‌های حسگر بی‌سیم، دستگاه‌های قابل‌حمل با باتری، دستیاران مراقبت‌های بهداشتی شخصی و برنامه‌های کاربردی هوشمند اینترنت اشیا مناسب هستند.


فهرست کتاب:

۱. روی جلد

۲. صفحه عنوان فرعی

۳. عنوان

۴. حق تکثیر

۵. فهرست

۶. تقدیر و تشکر

۷. پیشگفتار

۸. زندگینامه نویسندگان

۹. فصل ۱ مقدمه

۱۰. فصل ۲ معیارهای طراحی برای SRAM جاسازی شده

۱۱. فصل ۳ سلول‌های بیتی SRAM در مقایسه با حافظه‌های مرسوم

۱۲. فصل ۴ تصحیح آفست در تقویت کننده حسگر

۱۳. فصل ۵ حس کردن داده در SRAM: یک رویکرد ترکیبی با FinFET

۱۴. فصل ۶ SRAM مقاوم در برابر BTI و خطای نرم

۱۵. نمایه‌

توضیحات(انگلیسی)

This reference text covers a wide spectrum for designing robust embedded memory and peripheral circuitry. It will serve as a useful text for senior undergraduate and graduate students and professionals in areas including electronics and communications engineering, electrical engineering, mechanical engineering, and aerospace engineering.

  • Discusses low-power design methodologies for static random-access memory (SRAM)
  • Covers radiation-hardened SRAM design for aerospace applications
  • Focuses on various reliability issues that are faced by submicron technologies
  • Exhibits more stable memory topologies

Nanoscale technologies unveiled significant challenges to the design of energy- efficient and reliable SRAMs. This reference text investigates the impact of process variation, leakage, aging, soft errors and related reliability issues in embedded memory and periphery circuitry.

The text adopts a unique way to explain the SRAM bitcell, array design, and analysis of its design parameters to meet the sub-nano-regime challenges for complementary metal-oxide semiconductor devices. It comprehensively covers low- power-design methodologies for SRAM, exhibits more stable memory topologies, and radiation-hardened SRAM design for aerospace applications. Every chapter includes a glossary, highlights, a question bank, and problems. The text will serve as a useful text for senior undergraduate students, graduate students, and professionals in areas including electronics and communications engineering, electrical engineering, mechanical engineering, and aerospace engineering. Discussing comprehensive studies of variability-induced failure mechanism in sense amplifiers and power, delay, and read yield trade-offs, this reference text will serve as a useful text for senior undergraduate, graduate students, and professionals in areas including electronics and communications engineering, electrical engineering, mechanical engineering, and aerospace engineering. It covers the development of robust SRAMs, well suited for low-power multi-core processors for wireless sensors node, battery-operated portable devices, personal health care assistants, and smart Internet of Things applications.


Table of Contents

1. Cover

2. Half Title

3. Title

4. Copyright

5. Contents

6. Acknowledgment

7. Preface

8. Author Bios

9. Chapter 1 Introduction

10. Chapter 2 Design Metrics for Embedded SRAM

11. Chapter 3 SRAM Bitcells over Conventional Memories

12. Chapter 4 Offset Correction in the Sense Amplifier

13. Chapter 5 Data Sensing in SRAM: A Hybrid Approach with FinFET

14. Chapter 6 BTI-Aware and Soft-Error-Tolerant SRAM

15. Index

دیگران دریافت کرده‌اند

✨ ضمانت تجربه خوب مطالعه

بازگشت کامل وجه

در صورت مشکل، مبلغ پرداختی بازگردانده می شود.

دانلود پرسرعت

دانلود فایل کتاب با سرعت بالا

ارسال فایل به ایمیل

دانلود مستقیم به همراه ارسال فایل به ایمیل.

پشتیبانی ۲۴ ساعته

با چت آنلاین و پیام‌رسان ها پاسخگو هستیم.

ضمانت کیفیت کتاب

کتاب ها را از منابع معتیر انتخاب می کنیم.